[发明专利]用于电子应用的氮杂芘

权利要求书

1.一种电子器件，其包含下式的化合物：

其中

Y¹、Y²、Y³、Y⁴、X¹、X²和X³相互独立地为N或CR⁴，

条件是基团X¹、X²和X³中的至少一个为基团CR⁴，

R¹为氢、F、-SiR¹⁰⁰R¹⁰¹R¹⁰²或有机取代基，

R¹’和R⁴相互独立地为氢、F、-SiR¹⁰⁰R¹⁰¹R¹⁰²或有机取代基，或者

取代基R¹、R¹’和R⁴中的任意个，所述取代基相互相邻，一起形成芳族环或杂芳族环或环体系，它们可任选地被取代，

m为1-6的整数，和

R¹⁰⁰、R¹⁰¹和R¹⁰²相互独立地为C₁-C₈烷基、C₆-C₂₄芳基或C₇-C₁₂芳烷基，其可任选地被取代，和Q为连接基团；条件是在式III的化合物中，取代基R¹’或R⁴中的至少一个为基团Q。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其包含下式的化合物：

其中

X¹为N或CR⁴，

R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷和R⁸相互独立地为H、C¹-C¹⁸烷基、被E取代和/或被D间隔的C₁-C₁₈烷基、C₁-C₁₈全氟烷基、C₆-C₂₄芳基、被G取代的C₆-C₂₄芳基、C₂-C₂₀杂芳基、被G取代的C₂-C₂₀杂芳基、C₂-C₁₈链烯基、C₂-C₁₈炔基、C₁-C₁₈烷氧基、被E取代和/或被D间隔的C₁-C₁₈烷氧基、C₇-C₂₅芳烷基、-CO-R²⁸、-CN、或基团-L¹-NR²⁵’R²⁶’，其中

u为0或1；v为0或1；

R²¹¹、R²¹¹’、R²¹²和R²¹²’相互独立地为H、C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基，

R²¹³和R²¹⁴相互独立地为H或C₁-C₁₈烷基，

Ar¹为-NR²⁵’R²⁶’、C₆-C₂₄芳基、被G取代的C₆-C₂₄芳基、C₂-C₂₀杂芳基或被G取代的C₂-C₂₀杂芳基；

R²⁵’和R²⁶’相互独立地为C₁-C₁₈烷基、被E取代和/或被D间隔的C₁-C₁₈烷基、C₆-C₂₄芳基、被G取代的C₆-C₂₄芳基、C₂-C₂₀杂芳基、被G取代的C₂-C₂₀杂芳基，或者

R²⁵’和R²⁶’与它们所键合的氮原子一起形成杂芳族环或环体系，其可任选地被取代；

L¹为单键或桥连单元BU，

R⁵和R⁶和/或R⁷和R⁸一起形成基团其中R²⁰⁶’、R²⁰⁸’、R²⁰⁵、R²⁰⁶、R²⁰⁷、R²⁰⁸、R²⁰⁹和R²¹⁰相互独立地为H、C₁-C₁₈烷基、被E取代和/或被D间隔的C₁-C₁₈烷基、C₁-C₁₈烷氧基或被E取代和/或被D间隔的C₁-C₁₈烷氧基、C₁-C₁₈全氟烷基、C₆-C₂₄芳基、被G取代的C₆-C₂₄芳基、C₂-C₂₀杂芳基、被G取代的C₂-C₂₀杂芳基、C₂-C₁₈链烯基、C₂-C₁₈炔基、C₇-C₂₅芳烷基、CN、或-CO-R²⁸，

Y为O或N-R²⁵，

D为-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO₂-、-O-、-NR²⁵-、-SiR³⁰R³¹-、-POR³²-、-CR²³＝CR²⁴-、或-C≡C-；和

E为-OR²⁹、-SR²⁹、-NR²⁵R²⁶、-COR²⁸、-COOR²⁷、-CONR²⁵R²⁶、-CN、或卤素；

G为E、C₁-C₁₈烷基、被D间隔的C₁-C₁₈烷基、C₁-C₁₈全氟烷基、C₁-C₁₈烷氧基或被E取代和/或被D间隔的C₁-C₁₈烷氧基，其中

R²³和R²⁴相互独立地为H、C₆-C₁₈芳基、被C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基取代的C₆-C₁₈芳基、C₁-C₁₈烷基、或被-O-间隔的C₁-C₁₈烷基；

R²⁵和R²⁶相互独立地为C₆-C₁₈芳基、被C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基取代的C₆-C₁₈芳基、C₁-C₁₈烷基、或被-O-间隔的C₁-C₁₈烷基；或者R²⁵和R²⁶一起形成五或六元环或环体系；

R²⁷为C₆-C₁₈芳基、被C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基取代的C₆-C₁₈芳基、C₁-C₁₈烷基、或被-O-间隔的C₁-C₁₈烷基，

R²⁸为H、C₆-C₁₈芳基、被C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基取代的C₆-C₁₈芳基、C₁-C₁₈烷基、或被-O-间隔的C₁-C₁₈烷基，

R²⁹为C₆-C₁₈芳基、被C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基取代的C₆-C₁₈芳基、C₁-C₁₈烷基、或被-O-间隔的C₁-C₁₈烷基，

R³⁰和R³¹相互独立地为C₁-C₁₈烷基、C₆-C₁₈芳基或被C₁-C₁₈烷基取代的C₆-C₁₈芳基，和

R³²为C₁-C₁₈烷基、C₆-C₁₈芳基或被C₁-C₁₈烷基取代的C₆-C₁₈芳基。