[发明专利]从含氢材料中除去杂质

权利要求书

1.一种净化含氢材料的方法，该方法包括如下步骤：

提供包含二氧化硅的净化剂材料；

在约100℃或更高的温度下在干燥气氛中加热所述二氧化硅以形成活化的二氧化硅；

使所述活化的二氧化硅与起始含氢材料接触，其中所述活化的二氧化硅降低来自所述起始含氢材料的一种或多种杂质的浓度，以形成净化的含氢材料，其中所述活化的二氧化硅不分解所述净化的含氢材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在约150℃或更高的温度下在干燥气氛中加热所述二氧化硅以形成所述活化的二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其中含氢材料包含一种或多种III、IV或V族元素。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述含氢材料包含一种或多种选自硼、碳、氮、铝、硅、磷、镓、锗、砷、铟、锡、锑、铊、铅和铋的原子。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述含氢材料包含两种或更多种III、IV或V族的不同元素。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氢材料包含一种或多种硅烷。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述硅烷包含式为Si_xH_y的聚硅烷，其中x＝2或更高，y＝2x+2。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述硅烷包含乙硅烷、丙硅烷、丁硅烷或戊硅烷。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述硅烷包含丙硅烷。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述二氧化硅被加热至约150℃至约400℃的温度。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述二氧化硅被加热至约600℃或更高的温度。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述二氧化硅被加热至约400℃至约600℃的温度。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述二氧硅烷包含硅胶。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述提供包含二氧化硅的净化剂材料的步骤包括选择SiO₂∶Al₂O₃摩尔比大于1000的二氧化硅。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述杂质包含水蒸气。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述净化的含氢材料具有约1ppm或更低的水蒸气浓度。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述净化的含氢材料具有约50ppb或更低的水蒸气浓度。

18.根据权利要求1所述的方法，其中所述杂质选自烃、硅氧烷、锗氧烷和甲硅烷基-锗氧烷。

19.根据权利要求1所述的方法，其中所述杂质包含所述含氢材料的分解产物。

20.根据权利要求1所述的方法，其中所述杂质包含式为Si_xH_y的聚硅烷，其中x＝2或更高，y＝2x+2。

21.根据权利要求1所述的方法，其中所述干燥气氛包含至少一种惰性气体。

22.根据权利要求21所述的方法，其中所述惰性气体包含氮气(N₂)、氦气(He)或氩气(Ar)。

23.根据权利要求1所述的方法，其中所述干燥气氛包含至少一种还原性气体。

24.根据权利要求23所述的方法，其中所述还原性气体包括氢气(H₂)或氨气(NH₃)。

25.根据权利要求1所述的方法，其中通过包含分子氢(H₂)、氦气(He)、氩气(Ar)或氮气(N₂)的载气来携带所述含氢材料通过所述活化的二氧化硅。

26.根据权利要求1所述的方法，其中当所述活化的二氧化硅与所述起始含氢材料接触时，所述活化的二氧化硅被冷却至约25℃或更低的净化温度。