[发明专利]紫外线受光元件和紫外线量的测定方法无效
申请号: | 200980127670.7 | 申请日: | 2009-07-29 |
公开(公告)号: | CN102099928A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 小野晋吾;河口范明;福田健太郎;须山敏尚 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人名古屋工业大学;株式会社德山 |
主分类号: | H01L31/0264 | 分类号: | H01L31/0264;G01J1/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 紫外线 元件 测定 方法 | ||
1.一种紫外线受光元件,其特征在于,具有:基板、以及形成在该基板上的由金属氟化物薄膜构成的紫外线检测层、以及形成在该紫外线检测层上的至少一对阳极和阴极。
2.根据权利要求1所述的紫外线受光元件,其特征在于,金属氟化物薄膜为稀土金属氟化物薄膜。
3.根据权利要求1所述的紫外线受光元件,其特征在于,金属氟化物薄膜为金属氟化物单晶薄膜。
4.一种紫外线量的测定方法,其特征在于,使紫外线入射到由金属氟化物薄膜构成的紫外线检测层中,将因入射紫外线量而产生的紫外线检测层的电阻率的变化量以电信号的形式输出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的