[发明专利]具有改进载流子迁移率的金属氧化物TFT

权利要求书

1.与具有小于100nm厚的、具有上主表面和下主表面的金属氧化物活性层且所述上主表面和所述下主表面具有毗邻接合的材料以形成下层界面和上覆界面的半导体器件相结合，一种包括控制界面相互作用以调整相邻金属氧化物中的载流子密度的制造方法包括步骤：

通过选择用于金属氧化物活性层的金属氧化物以及通过选择用于毗邻接合的材料的特定材料来控制下层界面和上覆界面中的界面相互作用；以及

执行控制下层界面中的相互作用以及控制上覆界面中的相互作用中的一个，所述控制下层界面中的相互作用是通过形成下层界面的成分的下层材料的表面处理来进行的，所述控制上覆界面中的相互作用是通过在金属氧化物层上沉积材料之前执行的金属氧化物膜的表面处理来进行的。

2.如权利要求1所述的方法，其中，选择用于金属氧化物活性层的金属氧化物的步骤包括选择氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(InZnO)和氧化铟锌镓(InZnGaO)中的一个。

3.如权利要求1所述的方法，其中，选择用于毗邻接合的材料的特定材料的步骤包括选择惰性材料和活性材料中的一个。

4.如权利要求3所述的方法，其中，选择用于毗邻接合的材料的特定材料的步骤包括选择来自Al₂O₃、SiO₂、SiN、TaO、MgF₂、聚酰亚胺、BCB和光致抗蚀剂中的一个的惰性材料。

5.如权利要求3所述的方法，其中，选择用于毗邻接合的材料特定材料的步骤包括选择来自Al、Zn、Ti、Ta、ITO、Li和Mg中的一个的活性材料。

6.如权利要求1所述的方法，其中，通过形成下层界面的成分的下层材料的表面处理来控制下层界面中的相互作用的步骤包括下层材料的离子溅射、使用还原气体和氧化气体之一进行气体处理以及液体处理中的一个。

7.如权利要求1所述的方法，其中，通过金属氧化物膜的表面处理来控制上覆界面中的相互作用的步骤包括使用还原材料和氧化材料之一的溅射蚀刻。

8.如权利要求1所述的方法，其中，控制上覆界面中的相互作用的步骤包括选择在形成下层界面的成分的金属氧化物活性层上沉积材料的方法。

9.如权利要求8所述的方法，其中，选择在金属氧化物上沉积材料的方法的步骤包括选择不发生化学反应的方法和发生化学反应的方法中的一个。

10.如权利要求9所述的方法，其中，选择在金属氧化物上沉积材料的方法的步骤包括：从蒸发、低损坏溅射、基于溶液的处理、旋涂、浸渍以及印刷中的一个来选择不发生化学反应的方法。

11.如权利要求9所述的方法，其中，选择在金属氧化物上沉积材料的方法包括从高温CVD和PECVD中的一个来选择发生化学反应的方法。

12.如权利要求1所述的方法，其中，所述金属氧化物层小于50nm厚。

13.与具有小于100nm厚的具有上主表面和下主表面的金属氧化物活性层且所述上主表面和所述下主表面具有毗邻接合的材料以形成下层界面和上覆界面的半导体器件相结合，一种包括控制界面相互作用以调整相邻金属氧化物中的载流子密度的制造方法包括步骤：

通过选择用于金属氧化物活性层的金属氧化物以及通过选择用于毗邻接合的材料的特定材料来控制下层界面和上覆界面中的相互作用，所述特定材料包括惰性材料和活性材料中的一个，所述惰性材料来自Al₂O₃、SiO₂、SiN、TaO、MgF₂、聚酰亚胺、BCB和光致抗蚀剂中的一个，所述活性材料来自Al、Zn、Ti、Ta、ITO、Li和Mg中的一个；以及

执行控制下层界面中的相互作用以及控制上覆界面中的相互作用中的一个，所述控制下层界面中的相互作用是通过包括下层材料的离子溅射、使用还原气体和氧化气体之一的气体处理以及液体处理中的一个的、形成下层界面的成分的下层材料的表面处理来进行的，所述控制上覆界面中的相互作用是通过在金属氧化物层上的材料沉积之前执行的包括使用还原材料和氧化材料之一进行溅射蚀刻的金属氧化物膜的表面处理以及选择在形成下层界面的成分的金属氧化物活性层上沉积材料的方法来进行的。