[发明专利]气体输送装置

权利要求书

1.一种用于在基底位置上进行低压原子层沉积的气体输送装置，包括：第一总体细长的喷射器，用于将处理气体供给至处理部位；位于所述处理部位周围的第一排气部位；和位于所述第一排放气体周围的另一喷射器，用于在所述处理部位周围的出口处供给净化气体或惰性气体，所述处理部位具有面对所述出口周围的位置的壁，以限定至少部分气体密封。

2.根据权利要求1所述的气体输送装置，其中设置有由内净化气体喷射器和外净化气体喷射器在所述另一排气区域内所限定的主动区域(等离子体/UV或热丝激励)。

3.根据权利要求1或2所述的气体输送装置，其中所述处理区域典型地位于高度在10mm和40mm之间的位置处。

4.根据权利要求1至4中任一项所述的气体输送装置，还包括位于所述另一喷射器周围的另一气体排放区域。

5.一种气体输送装置，所述气体输送装置可定位于处理室中并具有围绕处理室的全周长的气体密封以限定气体处理区域。

6.一种用于在基底上形成层的低压原子层沉积设备，包括：

处理室，所述处理室具有至少一个气体喷射器和至少一个根据权利要求1至5中任一项所述的气体输送装置以及可旋转支撑件，所述可旋转支撑件用于将基底围绕所述室和穿过所述气体输送装置的处理区域移动。

7.根据权利要求6所述的低压原子层沉积设备，还包括控制器，所述控制器用于控制所述气体输送装置工作或不工作，由此基底能够根据基底上进行的处理而通过气体输送装置和处理室在处理室中单独地或连续地进行处理，反之亦然。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的低压原子层沉积设备，其中所述部分气体密封至少部分地由宽度在约1.5mm和约3mm之间的通道构成，以使反应部位之间的污染物小于10000ppm。

9.根据权利要求5至7中任一项所述的低压原子层沉积设备，其中所述部分气体密封至少部分地由长度在约30mm和约100mm之间的通道构成。

10.根据权利要求9所述的低压原子层沉积设备，其中所述通道长度在约60mm和约100mm之间、宽度在约1.5mm和3mm之间。

11.根据权利要求5至7中任一项所述的低压原子层沉积设备，其中所述部分气体密封使得反应部位之间的污染物小于10000ppm。

12.根据权利要求5至10中任一项所述的低压原子层沉积设备，其中所述处理区域中的压强不超过所述室中的压强的大约±50％。

13.根据权利要求5至11中任一项所述的低压原子层沉积设备，其中在所述另一喷射器处的气体速度是至少约50m/s。

14.一种在处理室中进行原子层沉积的方法，所述处理室包括：气体输送装置，所述气体输送装置具有全周长密封以从所述处理室限定独立的处理区域；和可旋转支撑件，用于将基底围绕所述处理室和穿过所述处理区域移动，其中，所述基底在所述方法的至少一部分过程中在所述室和所述处理区域中都被处理。

15.根据权利要求7所述的方法，其中所述气体输送装置在所述支撑件的一次或更多次旋转期间被关断。

16.根据权利要求14所述的方法，其中处理气体被供给至所述处理室。

17.根据权利要求14所述的方法，其中由等离子体/UV或热丝激励所激发的处理气体被供给至所述处理室。

18.根据权利要求14至16中任一项所述的方法，其中所述室包括等离子体、UV或热丝激励源。

19.根据权利要求14至17中任一项所述的方法，其中净化气体被供给至所述处理室。