[发明专利]包含污染捕获器的极端紫外辐射生成设备

说明书

技术领域

本发明涉及极端紫外（extreme UV）辐射生成设备，特别是利用锡基等离子体激励的EUV辐射生成设备。

背景技术

本发明涉及极端紫外辐射生成设备。这些设备被认为对于半导体工业的即将来临的“下一代”光刻工具起重大作用。

本领域中已知例如通过EUV源材料的等离子体激励来产生EUV光，该等离子体可以借助于在等离子体产生部位处照射靶材料的激光束来生成（即，激光产生等离子体，“LPP”），或者可以通过例如在等离子体焦点或等离子体箍缩部位处形成等离子体的电极之间的放电并且利用在放电时递送到这个部位的靶材料来生成（即，放电产生等离子体，“DPP”）。

然而，在两种技术中都需要液态锡流，液态锡被认为是潜在的靶材料之一，即，EUV生成设备的某些部分在高于例如200℃的升高的温度下总是暴露于比较苛刻的化学和物理条件。

需要锡无污染和/或碎屑以确保高质量的纯锡等离子体，这样的先决条件也使得情况更加复杂。

发明内容

本发明的目的是提供一种极端紫外辐射生成设备，其能够向所述设备的等离子体生成部提供较少受污染的锡流以及提供来自所述设备的等离子体生成部的较少受污染的锡流。

此目的是通过根据本发明的权利要求1的极端紫外辐射生成设备来解决。因此提供了一种极端紫外辐射生成设备，该极端紫外辐射生成设备包含：等离子体生成设备；至少一个锡供应系统，该至少一个锡供应系统具有与所述等离子体生成设备流体连通的供应贮存器，调适为向所述等离子体生成设备供应液态锡，其中所述锡供应系统包含用于供应锡的至少一个供应装置，该极端紫外辐射生成设备还包含与在所述供应装置中供应的锡至少部分接触的至少一个污染捕获器，其中所述污染捕获器

在其外表面至少部分地，优选地基本配备有一种材料，该材料与锡和铁体系的液相和/或与液态锡和腐蚀反应产物FeSn₂的组合具有≤90°的接触角；以及

能够以≥0.1mm/s且≤50mm/s的速度运动。

从本发明的意义上说，措词“等离子体生成设备”尤其指和/或包含能够生成和/或激励锡基等离子体从而生成极端紫外光的任何设备。应注意，本发明的等离子体生成设备可以是为本领域技术人员所知晓的任何设备。

从本发明的意义上说，措词“锡供应系统”尤其指和/或包含能够生成、容纳和/或传输液态锡的任何系统，例如加热容器、运载系统和管道系统。

从本发明的意义上说，措词“供应装置”尤其指和/或包含能够生成、容纳和/或传输液态锡的至少一种容器和/或至少一种贮存器和/或至少一种管道系统。

从本发明的意义上说，措词“污染捕获器”尤其指和/或包含能够结合至少部分，优选地基本全部的由于腐蚀和/或不希望的（多种）反应引起的锡浴和/或锡供应装置中存在的污染和/或碎屑的任何装置。

从本发明的意义上说，措词“配备有”尤其指污染捕获器涂覆有具有低接触角的污染捕获器材料。然而，这仅仅是本发明的一个实施例且措词“配备有”也旨在包含这样的实施例，其中污染捕获器至少部分地由具有低接触角的污染捕获器材料制成。

措词“至少部分地”尤其指≥50%（m2/m2），优选地65%（m2/m2）的外表面，措词“基本”尤其指≥80%（m2/m2），优选地≥90%（m2/m2），更优选地≥95%（m2/m2）以及最优选地≥98%（m2/m2）的外表面。

措词“运动”尤其包含比如圆周运动和/或振荡运动的周期运动。应注意，从本发明的意义上说，“运动的”可包含污染捕获器始终或者基本始终存在于液态锡中；另一方面，这仅仅是本发明的一实施例且该污染捕获器也可以按照这样的模式运动：该污染捕获器例如周期性地离开锡浴。

对于本发明内的大范围应用，这种极端紫外辐射生成设备的使用已经表现出具有下述优点中的至少一种：

由于污染捕获器的原因，锡的污染可以大幅减小，因而提高EUV设备的寿命和质量；

由于污染捕获器的原因，锡的污染可以大幅减小，因而提高EUV发射本身的纯度（辐射的“纯净度”）；

由于污染捕获器的原因，锡的污染可以大幅减小，因而在延长的时间上维持液态锡本身的高质量和纯度，由此避免锡本身的规则变化；

由于污染捕获器的原因，供应装置本身的制作变得更廉价且操作变得更容易（例如就机械方面而言），因为可以就在EUV设备中使用之前应用基底材料以及将基底材料经涂覆成形；

由于污染捕获器的原因，不需要使用专用的附着促进器以从受污染的液体移除污染物；