[发明专利]用于太阳能电池的层系统

权利要求书

1.一种用于薄层太阳能电池、太阳能模块等等的层系统(1)，该层系统(1)包括吸收层(4)和第一缓冲层(5)，其中吸收层(4)基于Cu(In，Ga)(S_1-y，Se_y)₂化合物半导体材料形成，其中0≤y≤1成立，

其特征在于，

第一缓冲层(5)包括In₂(S_1-x，Se_x)_3+δ，其中有0≤x≤1和-1≤δ≤1成立，其中第一缓冲层(5)是非晶的。

2.根据权利要求1所述的层系统(1)，

其特征在于，

硒含量为0≤x≤0.5、优选0≤x≤0.1。

3.根据权利要求1或2所述的层系统(1)，

其特征在于，

吸收层(4)的朝向第一缓冲层(5)的表面处的摩尔浓度的比例[S]/([Se]+[S])为10％至90％之间、尤其是20％至65％、优选35％。

4.根据前述权利要求之一所述的层系统(1)，

其特征在于，

吸收体(4)中的硫浓度具有梯度，并且更确切地为从朝向第一缓冲层(5)的表面向吸收体(4)内部下降的梯度。

5.根据前述权利要求之一所述的层系统(1)，

其特征在于，

与化学计量的偏差为-0.5≤δ≤+0.5，优选为-0.2≤δ≤0。

6.根据前述权利要求之一所述的层系统(1)，

其特征在于，

第一缓冲层(5)的层厚度处于10nm至200nm之间、尤其是40nm至140nm之间、优选80nm。

7.根据前述权利要求之一所述的层系统(1)，

其特征在于，

附加地设置第二缓冲层(6)，第二缓冲层(6)被优选地布置在第一缓冲层(5)上。

8.根据权利要求7所述的层系统(1)，

其特征在于，

第二缓冲层(6)包括未掺杂的Zn_1-zMg_zO，其中0≤z≤1。

9.根据权利要求7或8所述的层系统(1)，

其特征在于，

第二缓冲层的层厚度为至多200nm、尤其是10nm至140nm、优选60nm

10.根据前述权利要求之一所述的层系统(1)，

其特征在于，

在第一缓冲层(5)之上布置有前电极(7)，前电极(7)由透明导电氧化物(TCO)、优选Al或Ga掺杂的ZnO构成。

11.一种太阳能电池或者太阳能电池模块，

其特征在于

根据前述权利要求之一所述的层系统(1)。