[发明专利]组合物以及使用该组合物制成的发光元件

权利要求书

1.一种组合物，其中包含具有饱和杂环结构的化合物以及磷光发光性化合物，所述饱和杂环结构的环含有氮原子且该环的构成元数为5以上。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中，具有上述饱和杂环结构的化合物为具有由选自下述式(1-1)、(1-2)、(1-3)、(2-1)、(2-2)、(2-3)和(2-4)中的式子表示的化合物的残基的化合物，

【化1】

式中，R^*表示氢原子或者取代基，或者，同一碳原子上键合的2个R^*成为一体表示＝O；存在多个的R^*可以相同或不同。

3.根据权利要求2所述的组合物，其中，具有上述饱和杂环结构的化合物为下述式(3)表示的化合物、或者具有其残基的化合物，

【化2】

式中，HT表示上述式(1-1)、(1-2)、(1-3)、(2-1)、(2-2)、(2-3)或者(2-4)表示的化合物的残基；n为1～5的整数；当n为2以上时，存在多个的HT可以相同或不同；Y¹和Y²各自独立地表示-C(R^a)(R^b)-、-N(R^c)-、-O-、-Si(R^d)(R^e)-、-P(R^f)-、-S-、-C(＝O)-或者-C(R^g)＝C(R^h)-；R^a、R^b、R^c、R^d、R^e、R^f、R^g和R^h各自独立地表示氢原子或者取代基；m₁和m₂各自独立地为0～5的整数；当m₁为2以上时，存在多个的Y¹可以相同或不同；当m₂为2以上时，存在多个的Y²可以相同或不同；ET¹和ET²各自独立地表示可以具有取代基的芳基或者可以具有取代基的杂芳基。

4.根据权利要求3所述的组合物，其中，上述ET¹和ET²中的至少一方为可以具有取代基的杂芳基。

5.根据权利要求4所述的组合物，其中，上述可以具有取代基的杂芳基为被烷基、烷氧基、可以具有取代基的芳基、或者可以具有取代基的杂芳基取代的杂芳基。

6.根据权利要求5所述的组合物，其中，上述可以具有取代基的杂芳基为被碳数3～10的烷基、碳数3～10的烷氧基、被碳数3～10的烷基或者碳数3～10的烷氧基取代的芳基、或者被碳数3～10的烷基或者碳数3～10的烷氧基所取代的杂芳基。

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的组合物，其中，采用计算科学的方法算出的、具有上述饱和杂环结构的化合物的最低三重态激发能量的值为3.0eV以上。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的组合物，其中，采用计算科学的方法算出的、具有上述饱和杂环结构的化合物的最低未占分子轨道的能级绝对值为1.5eV以上。

9.根据权利要求1～7中的任一项所述的组合物，其中，采用计算科学的方法算出的、具有上述饱和杂环结构的化合物的最高占有分子轨道的能级绝对值为6.0eV以下。

10.根据权利要求3～9中的任一项所述的组合物，其中，在上述式(3)表示的化合物或者含有其残基的化合物中，ET¹和ET²表示的基团与至少具有2个π共轭电子的部分结构相键合，ET¹和ET²表示的基团与该部分结构之间的2面角为20°以上。

11.根据权利要求1～10中的任一项所述的组合物，其中，具有上述饱和杂环结构的化合物的最低三重态激发能量的值ETP与上述磷光发光性化合物的最低三重态激发能量的值ETT满足下述式：

ETP＞ETT  (eV)。