[发明专利]多丝超导制品及其形成方法有效

专利信息
申请号: 200980129215.0 申请日: 2009-05-28
公开(公告)号: CN102106011A 公开(公告)日: 2011-06-22
发明(设计)人: 张珣;D·W·黑兹顿;V·塞尔瓦曼尼克姆 申请(专利权)人: 美国超能公司
主分类号: H01L39/12 分类号: H01L39/12
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 朱黎明
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 超导 制品 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种超导制品,其包括:

多丝超导带段,其包括:

基材带;

覆盖所述基材的缓冲层;以及

长丝,所述长丝包含覆盖所述缓冲层的高温超导(HTS)材料,沿着所述基材的长度延伸,在横向上与相邻的长丝相隔一段间隔,在纵向上被间隙隔开,其中,所述长丝的长丝间横偏距约不大于100微米。

2.如权利要求1所述的超导制品,其特征在于,所述长丝间的横偏距约不大于50微米。

3.如权利要求1所述的超导制品,其特征在于,所述多丝超导带段的长度至少约为5米。

4.如权利要求1所述的超导制品,其特征在于,所述HTS长丝的连续长度至少约为100微米。

5.如权利要求1所述的超导制品,其特征在于,所述HTS长丝被沿着所述基材的长度延伸的间隙隔开,所述间隙的长度不大于所述HTS长丝的长度。

6.如权利要求5所述的超导制品,其特征在于,所述间隙的长度约不大于3毫米。

7.如权利要求1所述的超导制品,其特征在于,所述间隔不大于1毫米。

8.如权利要求1所述的超导制品,其特征在于,所述缓冲层包括有双轴结构的膜,所述膜包括同时沿着膜的面内和面外双轴排列的晶体。

9.如权利要求1所述的超导制品,其特征在于,所述多丝超导带段是故障限流器(FCL)器件的一个部件,所述器件包括:

与所述多丝超导带段并联电连接的分流电路。

10.一种超导制品,其包括:

多丝超导带段,其包括:

基材带;

覆盖所述基材的缓冲层;以及

长丝,所述长丝包含覆盖所述缓冲层的高温超导(HTS)材料,沿着所述基材的长度延伸,与相邻的长丝横向间隔一段间隔,其中,所述多丝超导带段的临界电流保留比至少约为0.6。

11.如权利要求10所述的超导制品,其特征在于,所述临界电流保留比至少约为0.65。

12.一种形成多丝超导带的方法,该方法包括:

以卷轴到卷轴工艺传送超导带,所述超导带包括:

基材;

覆盖所述基材的缓冲层;以及

覆盖所述缓冲层的HTS层;

形成覆盖所述超导带的掩蔽带;以及

使用磨粒除去所述掩蔽带的一些部分以及所述HTS层的一些部分,以形成多丝超导带,所述多丝超导带包括HTS长丝,所述长丝沿着所述超导带的长度延伸,在横向上与相邻的HTS长丝间隔一段间隔。

13.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述形成掩蔽带的步骤包括:

从供料卷轴传送掩蔽带;

从供料卷轴传送所述超导带;

将所述掩蔽带层叠在所述超导带上,以形成掩蔽的超导带。

14.如权利要求13所述的方法,该方法还包括:

使所述掩蔽的超导带传送通过具有第一对准标记的基材支架;

使所述掩蔽的超导带的一些部分受到被投射通过具有第二对准标记的标线片的辐射的照射,其中,所述第二对准标记对应于所述第一对准标记,与所述第一对准标记对准。

15.如权利要求13所述的方法,该方法还包括:

在具有第二对准标记的标线片下方传送包括第一对准标记的掩蔽的超导带;

将所述第一对准标记和第二对准标记对准;

使所述掩蔽的超导带的一些部分受到被投射通过所述标线片的辐射照射,形成有图案的超导带。

16.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述形成掩蔽带的步骤包括:

从供料卷轴传送可印刷的带材通过印刷机;

在所述印刷机中,在所述可印刷的带材的表面上印刷图案,形成印刷过的带。

17.如权利要求16所述的方法,其特征在于,所述可印刷的带材包含聚酯。

18.如权利要求16所述的方法,该方法还包括:

从第一供料卷轴传送印刷过的带;

从第二供料卷轴传送对辐射敏感的带材;

将所述印刷过的带与所述对辐射敏感的带材合并,形成印刷过的掩蔽带;

将所述印刷过的掩蔽带传送到收带轴上。

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