[发明专利]多层元件无效
| 申请号： | 200980129707.X | 申请日： | 2009-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN102113072A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | T.费克廷格;S.布伦纳 | 申请（专利权）人： | 埃普科斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/40 | 分类号： | H01G4/40;H03H7/00;H01C7/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;李家麟 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 元件 | ||
1. 一种多层元件，具有：
－至少一个电感区域（1），
－至少一个电容区域（2），
－其中电感区域（1）包括铁氧体陶瓷，
－其中在电感区域（1）的朝向外部的表面上设置有电极结构（3），
－其中这些电极结构（3）形成至少一个具有电感（5）的线圈结构（4）。
2. 根据权利要求1所述的多层元件，其中所述线圈结构（4）具有螺旋线的形状。
3. 根据权利要求1或2所述的多层元件，其中所述线圈结构（4）包括Cu，Ag，Pd或Pt。
4. 根据前述权利要求之一所述的多层元件，其中所述线圈结构（4）被钝化层（11）覆盖。
5. 根据权利要求1所述的多层元件，其中电容区域（2）具有包括至少一个电容（7）和至少一个非线性电阻的内电极（6）。
6. 根据权利要求1至5之一所述的多层元件，其中电容区域（2）包括压敏电阻器陶瓷。
7. 根据权利要求1至5之一所述的多层元件，其中电容区域（2）包括电容器陶瓷。
8. 根据权利要求1所述的多层元件，其中所述铁氧体陶瓷包括NiZn铁氧体、NiCuZn铁氧体或NiZnCo铁氧体。
9. 根据权利要求1所述的多层元件，其中所述铁氧体陶瓷包括六角形铁氧体。
10. 根据权利要求6所述的多层元件，其中所述压敏电阻器陶瓷包括ZnO-Bi-Sb陶瓷或ZnO-Pr陶瓷。
11. 根据权利要求7所述的多层元件，其中所述电容器陶瓷包括NPO陶瓷。
12. 根据权利要求2所述的多层元件，其中所述至少一个电感（5）和所述至少一个电容（7）形成T-LC滤波器结构或者Pi-LC滤波器结构。
13. 根据前述权利要求之一所述的多层元件，其中在电容区域（2）和电感区域（1）之间设置金属层，该金属层用作电容区域（2）和电感区域（1）之间的扩散屏障。
14. 根据权利要求1至13之一所述的多层元件，其中所述多层元件具有实施为LGA，BGA或阵列的外部接触部（9）。
15. 根据权利要求6所述的多层元件，其中所述压敏电阻器陶瓷具有ESD保护功能。
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