[发明专利]用于制备半导体发光装置的支撑衬底和使用支撑衬底的半导体发光装置

权利要求书

1.一种用于制备半导体发光装置的支撑衬底，包括：

由电绝缘材料形成的选定支撑衬底；

通过层叠在所述选定支撑衬底的上方部分上而形成的牺牲层；

由具有高导热和导电性的金属、合金或者固溶体形成且形成于所述牺牲层的上方部分上的散热层；和

通过层叠在所述散热层的上方部分上而形成的粘结层，

其中，所述支撑衬底用作垂直构造的半导体发光装置的支撑衬底。

2.根据权利要求1的用于制备半导体发光装置的支撑衬底，其中所述的选定支撑衬底的电绝缘材料与初始衬底的热膨胀系数的差异为2ppm或者更小。

3.根据权利要求1的用于制备半导体发光装置的支撑衬底，其中所述的选定支撑衬底的电绝缘材料是从由蓝宝石Al₂O₃、氮化铝AlN、MgO、AlSiC、BN、BeO、TiO₂、SiO₂和玻璃所组成的组中所选择的单晶体、多晶体或者非晶体物质。

4.根据权利要求1的用于制备半导体发光装置的支撑衬底，其中所述的牺牲层是：

(i)与氧或者氮结合的单晶体、多晶体或者非晶体物质，所述物质是从由GaN、InGaN、ZnO、InN、In₂O₃、ITO、SnO₂、Si₃N₄、SiO₂、BeMgO和MgZnO所组成的组中所选择的至少一种物质；

(ii)从由可以被化学蚀刻的金属、合金、固溶体、氧化物、氮化物和耐热有机材料所组成的组中所选择的至少一种材料，如果所述牺牲层是由通过化学蚀刻可去除的材料构成；

(iii)从由耐热粘接剂、硅酮粘接剂和乙烯醇缩丁醛树脂所组成的组中所选择的至少一种材料，如果所述牺牲层是由耐热粘接材料构成；

(iv)硅酸盐或者硅酸材料，如果所述牺牲层是旋涂玻璃薄膜；

(v)从由硅酸盐、硅氧烷、甲基倍半硅氧烷、氢倍半硅氧烷、甲基倍半硅氧烷+氢倍半硅氧烷、全氢硅氮烷和聚硅氮烷所组成的组中所选择的至少一种，如果所述牺牲层是旋涂电介质；或者

(vi)从由AZ系列、SU-8系列、TLOR系列、TDMR系列和GXR系列所组成的组中所选择的至少一种，如果所述牺牲层是由光刻胶构成。

5.根据权利要求1的用于制备半导体发光装置的支撑衬底，其中所述散热层的厚度是0.1μm至500μm。

6.根据权利要求1的用于制备半导体发光装置的支撑衬底，其中形成所述散热层的所述金属、合金或者固溶体包括从由Cu、Ni、Ag、Mo、Al、Au、Nb、W、Ti、Cr、Ta、Al、Pd、Pt和Si所组成的组中所选择的至少一种。

7.根据权利要求1的用于制备半导体发光装置的支撑衬底，其中所述的粘结层是包括从由Ga、Bi、In、Sn、Pb、Au、Al、Ag、Cu、Ni、Pd、Si和Ge所组成的组中所选择的至少一种的软钎焊或硬钎焊合金材料。

8.根据权利要求1的用于制备半导体发光装置的支撑衬底，其中形成于所述选定支撑衬底的上方部分上的所述牺牲层、散热层和粘结层是通过物理气相沉积、化学气相沉积或者电化学沉积形成的，

所述牺牲层是通过从由电子束蒸发器、热蒸发器、金属有机化合物化学气相淀积、溅镀和脉冲激光沉积所组成的组中所选择的一种方法形成的，且

所述散热层是通过电镀或者无电镀的方式形成。

9.根据权利要求1的用于制备半导体发光装置的支撑衬底，其中所述用于制备半导体发光装置的支撑衬底的牺牲层、散热层和粘结层中的至少一个是有选择地以预定的形状的形式形成有图案，或者

所述用于制备半导体发光装置的支撑衬底的牺牲层、散热层和粘结层全部是以预定形状的形式形成有图案，且所述的选定支撑衬底被蚀刻到预定的深度。

10.根据权利要求1的用于制备半导体发光装置的支撑衬底，其中所述的牺牲层溶解在湿式蚀刻溶液中。