[发明专利]无错位结晶板的制造方法及其装置

权利要求书

1.一种自熔体形成板的方法，包括：

使用冷却平板在材料的熔体上形成具有第一宽度的所述材料的板，所述板具有错位；

相对于所述冷却平板而输送所述板，藉此所述错位迁移至所述板的边缘；以及

随着所述板相对于所述冷却平板而输送，藉由改变所述冷却平板的参数来使所述板增加至第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度，所述板在所述第二宽度处不具有所述错位。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述输送包括使所述熔体流动。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述输送包括相对于所述熔体拉动所述板。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述板及所述熔体由硅或硅与锗组成。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成包括辐射冷却。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述冷却平板比所述熔体至少冷10K。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述参数为所述冷却平板在低于所述熔体的熔化温度的温度下的宽度。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括相对于所述冷却平板而输送处于所述第二宽度的所述板，所述板在所述第二宽度处具有均匀厚度。

9.一种使用如权利要求1所述的方法形成的产品。

10.一种形成板的装置，包括：

容器，界定经组态以容纳材料的熔体的通道；以及

冷却平板，位于所述熔体上方，具有第一部分及第二部分，所述第一部分具有第一宽度，所述第二部分具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述冷却平板包括高热扩散率层及低热扩散率层，所述高热扩散率层及所述低热扩散率层每一者在所述冷却平板的长度上具有不同高度。

12.根据权利要求11所述的装置，其中所述冷却平板安置于冷表面上，所述冷表面被激活以在低于所述熔体的冷凝温度的温度下操作。

13.根据权利要求10所述的装置，其中所述冷却平板的所述第二部分界定缺口。

14.根据权利要求13所述的装置，其中所述缺口经组态以均衡自所述板的热移除。

15.根据权利要求10所述的装置，其中所述熔体经组态以自所述通道的第一点流动至第二点。

16.根据权利要求10所述的装置，其中所述材料包括硅或硅与锗。

17.一种形成板的装置，包括：

容器，界定经组态以容纳材料的熔体的通道；以及

冷却平板，位于所述熔体上方，所述冷却平板具有一第一区段及多个第二区段，与所述第一区段相比，所述多个第二区段经组态以独立地控制温度。

18.根据权利要求17所述的装置，其中所述熔体经组态以自所述通道的第一点流动至第二点。

19.根据权利要求17所述的装置，其中所述材料包括硅或硅与锗。

20.根据权利要求17所述的装置，还包括第三区段，所述第三区段经组态以与所述第一区段相比独立地控制温度。