[发明专利]对刻蚀后的半导体结构的钝化

权利要求书

1.一种半导体结构的钝化方法，该方法包括以下步骤：

提供至少一个第一材料层；

在所述第一材料层上形成待图案化的至少一个第二材料层；

在所述至少一个第二材料层与所述至少一个第一材料层之间形成扩散阻挡层，由此形成多层堆叠；以及

对所述至少一个第二材料层向下进行图案化，特别是刻蚀，但不完全穿透所述扩散阻挡层并且不露出部分的所述至少一个第一材料层，使得基本上防止在对所述多层堆叠进行后续热处理期间所述至少一个第一材料层的材料穿过所述扩散阻挡层进行扩散。

2.一种半导体结构的钝化方法，该方法包括以下步骤：

提供多层堆叠，该多层堆叠包括形成在第二材料层下方的至少一个掩埋层；

对所述多层堆叠的表面进行图案化，特别是刻蚀，穿透所述第二材料层，由此露出部分的所述至少一个掩埋层；以及

至少在所述至少一个掩埋层的露出的部分上沉积扩散阻挡层，使得基本上防止在对所述多层堆叠进行后续热处理期间所述至少一个掩埋层的材料穿过所述扩散阻挡层进行扩散。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，沉积所述扩散阻挡层的步骤包括：在图案化的第二材料层上及所述至少一个掩埋层的所述露出的部分上沉积所述扩散阻挡层；

所述方法进一步包括：

包括去除所述扩散阻挡层中的至少沉积在图案化的第二材料层的材料上的部分。

4.根据权利要求3所述的方法，其中对所述第二材料层进行图案化包括：穿透所述第二材料层刻蚀出沟槽，这些沟槽延伸至所述至少一个掩埋层，其中，部分的所述扩散阻挡层被去除，使得所述扩散阻挡层仅保留在所述沟槽的底部上和/或所述沟槽的壁上以及所述多层堆叠的、露出了部分的所述至少一个掩埋层的侧面上。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，沉积所述扩散阻挡层的步骤包括：在所述多层堆叠的、露出了部分的所述至少一个掩埋层的侧面上沉积所述扩散阻挡层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一材料层是低粘性层，特别是所述第一材料层结合至支撑衬底；

所述第二材料层是应变材料层，特别是先前生长在种子衬底上并借助于所述第一材料层转移到所述支撑衬底的应变材料层；

所述进行图案化的步骤包括在所述应变材料层中刻蚀出沟槽，以形成应变材料岛；并且

执行热处理以使这些应变材料岛至少部分地弛豫。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在沉积所述扩散阻挡层之前执行所述热处理。

8.根据权利要求2至5中任一项所述的方法，

其中，所述至少一个掩埋层是包括顺应材料的低粘性层，特别是所述至少一个掩埋层结合至支撑衬底；

所述第二材料层是应变材料层，特别是先前生长在种子衬底上并借助于所述第一材料层转移到所述支撑衬底的应变材料层；

进行图案化的步骤包括在所述应变材料层中刻蚀出沟槽，以形成应变材料岛；并且

执行热处理，以使这些应变材料岛至少部分地弛豫，其中，通过所述扩散阻挡基本上防止顺应材料扩散出所述多层堆叠。

9.根据权利要求6、7和8中任一项所述的方法，其中，所述低粘性层是掩埋氧化层，并且包含硼磷硅玻璃或者含有硼或磷的SiO₂-化合物，或者由硼磷硅玻璃或含有硼或磷的SiO₂-化合物组成。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述顺应材料是硼磷硅玻璃，特别是包括重量百分比为4.5％的硼和重量百分比为2％的磷的硼磷硅玻璃。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其中，所述扩散阻挡层包括SiN或SiO₂，或者所述扩散阻挡层由SiN或SiO₂组成。

12.根据权利要求6至11中任一项所述的方法，其中，所述应变材料层包括从二元、三元四元合金中选择的III族/N材料，或者所述应变材料层由从二元、三元四元合金中选择的III族/N材料组成。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述应变材料层包括InGaN，或者所述应变材料层由InGaN组成。