[发明专利]应变层的松弛

权利要求书

1.一种用于松弛应变材料层的方法，该方法包括以下步骤：

在所述应变材料层的一面上淀积第一低粘度层；

在所述应变材料层的另一面上淀积第二低粘度层，以形成第一夹层结构；以及

使所述第一夹层结构经受热处理，使得造成所述第一低粘度层和所述第二低粘度层的回流，由此至少部分地松弛所述应变材料层。

2.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括：在使所述夹层结构经受热处理的步骤之前，将第一衬底粘合到所述第一低粘度层和所述第二低粘度层中的一方。

3.根据权利要求2所述的方法，该方法还包括：在热处理的步骤之前，将第二衬底粘合到所述第一低粘度层和所述第二低粘度层中的另一方，以形成第二夹层结构。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一衬底和所述第二衬底由相同材料制成，或者由表现出热膨胀系数彼此相差少于20％、具体地少于10％的材料制成。

5.根据权利要求3或4所述的方法，该方法还包括：在使所述夹层结构经受热处理的步骤之后，分离所述第一衬底和所述第二衬底中的至少一方与该至少一方所粘合到的低粘度层，以露出至少部分松弛的应变材料层的至少一个表面。

6.根据上述权利要求中的一项所述的方法，该方法还包括：在所述热处理之前对所述应变材料层进行构图，由此形成被空隙分开的应变材料岛状物，具体地，所述应变材料岛状物具有大于0.5mm的横向尺寸。

7.根据权利要求6所述的方法，其中在淀积所述第二低粘度层之前，对所述应变材料层进行构图，或者在所述应变材料层上淀积所述第二低粘度层之后，对所述应变材料层和所述第二低粘度层两者进行构图。

8.根据上述权利要求中的一项所述的方法，其中所述应变材料层包括具体例如为InGaN的III/N材料，或由具体例如为InGaN的III/N材料组成。

9.根据上述权利要求中的一项所述的方法，其中所述第一低粘度层和/或所述第二低粘度层包括硼磷硅玻璃或SiO₂，或者由硼磷硅玻璃或SiO₂组成，所述硼磷硅玻璃是包括硼或磷的化合物。

10.根据上述权利要求中的一项所述的方法，其中在至少800℃，具体地，至少850℃的温度下执行所述热处理。

11.根据上述权利要求中的一项所述的方法，其中所述第一低粘度层和/或第二低粘度层包括小于5％的重量的硼，具体地，小于4％的重量的硼。

12.根据权利要求3至11中的一项所述的方法，其中在所述应变材料层上淀积所述第一低粘度层的步骤之前，在淀积在支撑衬底上的具体例如为GaN层的籽晶衬底上生长具体例如为应变InGaN层的所述应变材料层；并且其中

在所述应变材料层上淀积所述第二低粘度层以用于粘合到所述第二衬底来形成所述第二夹层结构之前，从所述籽晶衬底分离所述应变材料层，并且通过所述第一低粘度层将所述应变材料层粘合到所述第一衬底。

13.根据上述权利要求中的一项所述的方法，其中所述第一低粘度层和/或所述第二低粘度层包括适用于分离所述第一衬底和/或所述第二衬底的吸收层。

14.一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括根据上述权利要求中的一项来形成至少部分松弛的应变材料，并且该方法还包括在形成的至少部分松弛的应变材料上外延生长材料层，具体例如为在LED、激光器或光生伏打领域中应用的活性层。

15.根据上述权利要求所述的方法，其中至少部分松弛的材料是极性III-N材料，并且其中在III面极性上执行外延生长层。

16.根据权利要求2所述的方法，该方法还包括：在所述热处理的至少部分期间，具体地通过活塞将机械压力与所述应变材料层的面垂直地施加给所述第一低粘度层和第二低粘度层中的另一方。

17.根据权利要求16所述的方法，其中具体地将所述压力不均匀地施加在整个第一夹层结构上，使得所述压力从所述第一低粘度层和第二低粘度层中的所述另一方的一侧线性变化到另一侧，或者使得中心的压力高于边缘的压力。