[发明专利]用于电气电子部件的铜合金材料及其制造方法

权利要求书

1.一种用于电气电子部件的铜合金材料，其具有以下组成：分别含有0.5～2.0质量％的Co(钴)、0.1～0.5质量％的Si(硅元素)，剩余部分由Cu(铜)和不可避免的杂质组成；其中，

母材的铜合金的结晶粒径为3～35μm，

由Co和Si组成的析出物的粒子直径为5～50nm，

所述析出物的密度为1×10⁸～1×10¹⁰个/mm²，并且

作为铜合金材料的抗拉强度为550MPa以上，导电率为50％IACS以上。

2.如权利要求1所述的用于电气电子部件的铜合金材料，其中，包含Sn(锡)、Mg(镁)中的至少一种，且总含量为0.1～0.5质量％。

3.如权利要求1或2所述的用于电气电子部件的铜合金材料，其中，包含Zn(锌)、Mn(锰)中的至少一种，且总含量为0.1～0.5质量％。

4.如权利要求1至3中任一项所述的用于电气电子部件的铜合金材料，其中，包含总含量为0.1～1.0质量％的选自Fe(铁)、Cr(铬)、Ni(镍)的组的至少一种。

5.如权利要求1至4中任一项所述的用于电气电子部件的铜合金材料，其中，所述铜合金材料在温度为150℃的大气气氛中经过1000小时之后的应力松弛率不足40％。

6.一种用于电气电子部件的铜合金材料的制造方法，其特征在于，包括：

工序a，将铜合金材料在500～600℃下进行1～4小时的时效热处理，其中所述铜合金材料具有以下组成：分别含有0.5～2.0质量％的Co、0.1～0.5质量％的Si，剩余部分由Cu和不可避免的杂质组成；以及

工序b，在所述工序a之后，将使所述铜合金材料从所述时效热处理时的温度冷却到300℃的冷却速度设为20～100K/小时(K为绝对温度)的范围，

从而得到下述的铜合金材料：母材的铜合金的结晶粒径为3～35μm，由Co和Si组成的析出物的粒子直径为5～50nm，所述析出物的密度为1×10⁸～1×10¹⁰个/mm²，并且作为铜合金材料的抗拉强度为550MPa以上，导电率为50％IACS以上。

7.如权利要求1所述的用于电气电子部件的铜合金材料，作为铜合金材料的表面粗糙度以Ra表示为0.2μm以下，并且以Rt表示为2μm以下。

8.如权利要求7所述的用于电气电子部件的铜合金材料，其中，包含总含量为0.1～1.0质量％的选自Zn、Sn、Mg的组的至少一种。

9.如权利要求7或8所述的用于电气电子部件的铜合金材料，其中，包含总含量为0.1～1.0质量％的选自Fe、Cr、Ni的组的至少一种。

10.一种用于电气电子部件的铜合金材料的制造方法，其特征在于，

包括下述工序：在对铜合金材料进行时效热处理之后，对该材料表面进行酸溶解后进行研磨，其中所述铜合金材料具有以下组成：含有0.5～2.0质量％的Co、0.1～0.5质量％的Si，剩余部分由Cu和不可避免的杂质组成，

从而得到下述铜合金材料：母材的铜合金的结晶粒径为3～35μm，由Co和Si组成的析出物的粒子直径为5～50nm，所述析出物的密度为1×10⁸～1×10¹⁰个/mm²，并且作为铜合金材料的表面粗糙度以Ra表示为0.2μm以下且以Rt表示为2μm以下，抗拉强度为550MPa以上，导电率为50％IACS以上。

11.如权利要求1所述的用于电气电子部件的铜合金材料，其中，Co的含量为0.7～2.0质量％，Co相对于Si的质量比(Co/Si)为3以上且5以下，并且，母材的铜合金的结晶粒径的算术平均为3～20μm，标准偏差为8μm以下，所述标准偏差小于所述算术平均。

12.如权利要求11所述的用于电气电子部件的铜合金材料，其中，还包含总含量为0.01～1.0质量％的选自Cr、Ni、Fe的组的至少一种，并且剩余部分为铜和不可避免的杂质。