[发明专利]半导体器件、发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，该器件包括：

基底；

排列在基底上的多个棒；

位于在棒之间的基底上的金属层；以及

位于棒上和棒之间的半导体层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，该器件进一步包括：在所述棒上形成的许多颗粒；每个棒上对应一个颗粒。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述颗粒包括：氧化硅、蓝宝石、氧化钛、Y₂O3-ZrO₂、氧化铜、氧化钽、Pb(Zr，Ti)O₃、氧化铌、FeSO₄、氧化铁、亚硫酸钠、GeO₂或CdS。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述棒随机排列在所述基底上。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层直接与所述金属层直接连；所述半导体层包括与所述金属层连接的电极。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层包括：GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、AlInN或AlInGaN。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层掺杂有Si、Ge、Mg、Zn、O、Se、Mn、Ti、Ni或Fe。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属层包括：Pt、Au、Ag、Ta、Ti、Cr、Al、Cu或这些金属的合金。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述金属层与所述半导体层之间形成多个孔。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，每个棒的直径约为10nm～2μm。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属层具有凹状表面。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属层的厚度小于所述棒的高度。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述基底与所述棒一体形成。

14.一种发光器件，其特征在于，该器件包括：

基底；

排列在基底上且相互隔开的多个棒；

位于在棒之间的基底上的金属层；

位于棒上和棒之间的第一导电型半导体层；

位于第一导电型半导体层上的活性层；以及

位于活性层上的第二导电型半导体层。

15.根据权利要求14所述的发光器件，其特征在于，该装置进一步包括：在所述棒上形成的许多颗粒；每个所述棒上对应一个所述颗粒。

16.根据权利要求14所述的发光器件，其特征在于，所述棒随机的排列在所述基底上。

17.根据权利要求14所述的发光器件，其特征在于，该器件进一步包括：

通过所述金属层与所述第一导电型半导体层相连接的第一电极；以及

与所述第二导电型半导体层相连接的第二电极。

18.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，该方法包括：

制备基底；

在所述基底上设置多个颗粒；以及

使用所述颗粒作为掩膜，通过刻蚀部分基底以形成多个棒。

19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括：

在所述棒之间形成金属层；以及

在所述棒上和所述棒之间形成第一半导体层。

20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，通过在支持基底上形成第二半导体层来制备所述基底；

通过刻蚀所述第二半导体层来形成多个棒。

21.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，刻蚀所述第二半导体层，直至所述支持基底的上表面暴露出来。

22.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述金属层形成后，去除所述颗粒。

23.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述第一半导体层从所述棒的侧面及所述棒的上表面选择性地生长。