[发明专利]离子源清洁方法及其装置

权利要求书

1.一种离子植入器，包括：

离子源腔室，其具有内表面以及经由其而提取离子射束的孔，所述源腔室经组态而接收清洁气体，以便自所述内表面移除沉积物；

电极，其定位于所述离子源腔室外部且接近所述孔，所述电极具有至少一槽，所述槽提供提取路径以供所述离子射束离开所述源腔室孔；以及

抑制插塞，其安置于所述电极上但远离所述槽，所述电极经组态而相对于所述离子源孔位移，其中当所述电极处于第一位置时，所述抑制插塞允许所述离子射束经由未受抑制的所述槽而被提取，且当所述电极处于第二位置时，所述抑制插塞至少部分地抑制所述离子射束自所述源腔室孔的提取，从而增加所述腔室内的压力。

2.根据权利要求1所述的离子植入器，其中所述电极的位置在所述第一位置与所述第二位置之间周期性调整。

3.根据权利要求1所述的离子植入器，其中所述电极处于第三位置，从而使所述抑制插塞与所述源腔室孔啮合。

4.根据权利要求3所述的离子植入器，其中所述电极的位置在所述第一位置、所述第二位置以及所述第三位置之间周期性调整。

5.根据权利要求1所述的离子植入器，其中所述电极为抑制电极。

6.根据权利要求1所述的离子植入器，其中所述槽为经组态而用于提取高能量离子射束的第一槽，所述电极还包括第二槽，所述第二槽经安置成与所述第一槽相距一距离且经组态而用于提取低能量离子射束，所述抑制插塞经安置于所述第一槽与所述第二槽之间。

7.根据权利要求1所述的离子植入器，其中所述槽为经组态而用于提取高能量离子射束的第一槽，所述电极还包括第二槽，所述第二槽经安置成与所述第一槽相距一距离且经组态而用于提取低能量离子射束，所述抑制插塞经安置于所述电极的第一末端，与所述第一槽相距距离x且与所述第二槽相距距离y，其中x＞y。

8.根据权利要求1所述的离子植入器，其中所述电极为抑制电极，所述植入器还包括接地电极，所述接地电极定位于所述抑制电极下游且远离所述离子源腔室。

9.根据权利要求1所述的离子植入器，其中所述槽为经组态而用于提取低能量离子射束的第一槽，所述电极还包括第二槽，所述第二槽经安置成与所述第一槽相距一距离且经组态而用于提取高能量离子射束，所述抑制插塞经安置于所述电极的第一末端，与所述第一槽相距距离x且与所述第二槽相距距离y，其中x＜y。

10.一种清洁离子植入器装置中的离子源腔室的方法，包括：

将清洁气体引入至所述离子源腔室中；

在所述腔室内将所述清洁气体离子化；以及

使电极与所述离子源腔室的提取孔对准，使得与所述电极相连的抑制插塞经定位成非常接近所述孔，以便至少部分地抑制自所述腔室提取所述清洁气体，从而增加所述离子源腔室内的压力。

11.根据权利要求10所述的清洁离子源腔室的方法，还包括调整所述抑制插塞相对于所述孔的接近性，以便进一步抑制或允许自所述腔室提取所述清洁气体。

12.根据权利要求10所述的清洁离子源腔室的方法，还包括将所述抑制插塞相对于所述孔的所述接近性自第一位置调整成第二位置，在所述第一位置中所述抑制插塞使所述孔关闭，且在所述第二位置中所述抑制插塞与所述孔相距一指定距离，从而使得清洁气体经由所述孔自所述腔室泄漏。

13.根据权利要求10所述的清洁离子源腔室的方法，还包括使离子化的所述清洁气体与蚀刻的沉积物一起自所述离子源腔室排出。

14.根据权利要求10所述的清洁离子源腔室的方法，其中在将所述清洁气体引入至所述离子源腔室中的同时，执行使电极与所述离子源腔室的提取孔对准的步骤。

15.根据权利要求10所述的清洁离子源腔室的方法，还包括在将所述清洁气体引入至所述腔室中的同时，控制所述离子源腔室的温度。

16.根据权利要求10所述的清洁离子源腔室的方法，还包括控制所述清洁气体进入所述离子源腔室中的流率。