[发明专利]用于可重构逻辑电路的电子器件

权利要求书

1.电子器件，包括：

彼此电耦合的场效应晶体管(1)和电阻开关(17)，其中所述电阻开关(17)被构造来在低电阻状态和高电阻状态之间切换。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述器件包括层叠结构，并且所述电阻开关(17)被布置在所述场效应晶体管(1)的顶部。

3.根据权利要求1或2所述的电子器件，其中，所述电阻开关(17)被布置在所述场效应晶体管(1)的栅极(11)的顶部，并且所述电阻开关(17)的第一接触被设置在所述电阻开关(17)的与所述栅极(11)相反的顶部，其中，所述第一接触(13)与所述场效应晶体管(1)的源极(7)和漏极(9)中的一个电连接。

4.根据权利要求3所述的电子器件，其中，所述电阻开关(17)的第二接触(15)被设置在所述场效应晶体管(1)的所述栅极(11)和所述电阻开关(17)之间。

5.根据权利要求5所述的电子器件，其中，所述第二接触(15)与所述场效应晶体管(1)的源极(7)和漏极(9)中的另一个电连接。

6.根据权利要求3所述的电子器件，其中，所述场效应晶体管(1)的栅电极(12)被形成为电阻开关(17)的第二接触。

7.根据前述权利要求中任意一项所述的电子器件，其中，所述电阻开关(17)包括电阻开关材料(5)，所述电阻开关材料(5)包括具有电阻开关特性的金属-绝缘体-金属结和分子层中的一种。

8.根据前述权利要求中任意一项所述的电子器件，其中，电互连(19，21)被布置在所述第一接触(13)和所述场效应晶体管(1)的所述源极和漏极(9)中的一个之间，所述电互连(19，21)沿与所述器件的主平面垂直的方向延伸。

9.一种逻辑电路，所述逻辑电路包括彼此电耦合以形成电子器件阵列的前述权利要求中任意一项所述的电子器件中的一个或多个。

10.根据权利要求9所述的逻辑电路，其中，所述电子器件被布置，以形成NAND和NOR门中的一个或多个。

11.一种制造电子器件的方法，其包括如下步骤：

处理衬底以制造场效应晶体管(1)；

在所述场效应晶体管(1)的顶部沉积电阻开关材料(5)层，并形成电阻开关(17)；以及

在所述场效应晶体管(1)的源极(7)和漏极(9)中的至少一个与所述电阻开关(17)之间提供电接触。

12.根据权利要求11所述的方法，包括将所述电阻开关(17)的第一电接触(13)布置在所述电阻开关材料(5)的与栅极(11)相对的顶部上，并且在所述第一接触(13)与所述场效应晶体管(1)的所述源极(7)和漏极(9)中的一个之间形成第一电互连(19)。

13.根据权利要求12所述的方法，包括在所述栅极(11)和所述电阻开关材料(5)之间布置电阻开关(17)的第二电接触(15)。

14.根据权利要求13所述的方法，包括在所述第二接触(5)与所述场效应晶体管(1)的所述源极(7)和漏极(9)中的另一个之间设置第二电互连(21)。

15.根据权利要求12所述的方法，包括将所述栅极(11)的栅电极(12)形成作为所述电阻开关(17)的第二接触。