[发明专利]以半金属元素或金属元素为主成分的材料的提纯方法无效

专利信息
申请号: 200980131226.2 申请日: 2009-08-10
公开(公告)号: CN102119122A 公开(公告)日: 2011-07-06
发明(设计)人: 三枝邦夫;田渕宏;惠智裕 申请(专利权)人: 住友化学株式会社
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037;C22B9/10;C22B15/14;C22B23/06;C22B41/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 孙秀武;高旭轶
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 金属元素 为主 成分 材料 提纯 方法
【权利要求书】:

1.材料的提纯方法,使以半金属元素或金属元素为主成分且含有杂质的材料与下述通式(1)所示的化合物接触,由此除去上述材料中的上述杂质,

AlX3        (1),

式中,X为卤素原子。

2.权利要求1的材料的提纯方法,其中,上述材料以硅、锗、铜、或镍为主成分。

3.权利要求1的材料的提纯方法,其中,上述材料以硅为主成分。

4.权利要求1的材料的提纯方法,其中,上述材料以硅为主成分,上述杂质为选自锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、锆、铝、钛、镓、铟、钒、锰、铬、锡、铅、锗、铁、硼、锌、铜、镍、稀土类金属的1种以上的纯体、或含有上述1种以上纯体的合金。

5.权利要求1的材料的提纯方法,其中,上述材料以锗为主成分,上述杂质为选自锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、锆、铝、钛、镓、铟、钒、锰、铬、锡、铅、硅、铁、硼、钴、锌、铜、镍、稀土类金属的1种以上的纯体、或含有上述1种以上的纯体的合金。

6.权利要求1的材料的提纯方法,其中,上述材料以铜为主成分,上述杂质为选自锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、锆、铝、钛、镓、铟、钒、锰、铬、锡、铅、硅、锗、铁、钴、硼、锌、镍、稀土类金属的1种以上的纯体、或含有上述1种以上的纯体的合金。

7.权利要求1的材料的提纯方法,其中,上述材料以镍为主成分,上述杂质为选自锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、锆、铝、钛、镓、铟、钒、锰、铬、锡、铅、硅、锗、铁、钴、铜、硼、锌、稀土类金属的1种以上的纯体、或含有上述1种以上的纯体的合金。

8.权利要求1-7中任一项的材料的提纯方法,其中,上述材料为熔融状态。

9.权利要求1-7中任一项的材料的提纯方法,其中,上述材料为粉体。

10.权利要求3或4的材料的提纯方法,其中,上述材料含有97%质量以上的硅。

11.权利要求3的材料的提纯方法,其中,上述材料的温度为600℃以上低于2000℃。

12.权利要求3的材料的提纯方法,其中,上述材料的温度为1420℃以上低于2000℃。

13.权利要求1-12中任一项的材料的提纯方法,其中,上述通式(1)所示的化合物为气体。

14.权利要求13的材料的提纯方法,其中,上述通式(1)所示的化合物存在于与惰性气体的混合气体中。

15.权利要求1-14中任一项的材料的提纯方法,其中,上述通式(1)所示的化合物为AlCl3

16.权利要求14的材料的提纯方法,其中,上述通式(1)所示的化合物为AlCl3,上述混合气体中的上述AlCl3的浓度为10%体积以上40%体积以下。

17.权利要求14或16的材料的提纯方法,其中,上述惰性气体是选自氩、氮和氦的纯体、或将其2种以上混合的气体。

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