[发明专利]微机电系统有效
申请号: | 200980131308.7 | 申请日: | 2009-08-05 |
公开(公告)号: | CN102119318A | 公开(公告)日: | 2011-07-06 |
发明(设计)人: | 出川宗里;郑希元 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | G01C19/56 | 分类号: | G01C19/56;B81B3/00;G01P9/04;G01P15/125 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微机 系统 | ||
1.一种微机电系统,在第一半导体芯片上形成有:
(a)第一固定部;
(b)一端与上述第一固定部连接的、能够弹性变形的第一梁;
(c)第二固定部;
(d)一端与上述第二固定部连接的、能够弹性变形的第二梁;和
(e)与上述第一梁的另一端和上述第二梁的另一端连接的能够位移的可动体,
上述微机电系统的特征在于:
当上述第一固定部和上述第二固定部由于上述第一半导体芯片上产生的应力而向同一方向发生位移时,上述第一梁的弹簧常数比上述第一固定部不发生位移时增加,上述第二梁的弹簧常数比上述第二固定部不发生位移时减少。
2.根据权利要求1所述的微机电系统,其特征在于:
上述第一固定部、上述第一梁、上述第二固定部以及上述第二梁配置在上述第一半导体芯片的中心线同一侧。
3.根据权利要求2所述的微机电系统,其特征在于:
上述第一半导体芯片的中心线是沿与上述可动体的位移方向平行的方向延伸的线。
4.根据权利要求3所述的微机电系统,其特征在于:
上述第一梁和上述第二梁配置在与上述第一半导体芯片的中心线交叉的方向上。
5.根据权利要求4所述的微机电系统,其特征在于:
与上述第一梁和上述第二梁连接的上述可动体的连接部被配置成夹在上述第一梁和上述第二梁之间。
6.根据权利要求4所述的微机电系统,其特征在于:
上述第一梁和上述第二梁配置在上述可动体的连接部的彼此相反侧,上述可动体的连接部与上述第一梁和上述第二梁连接。
7.根据权利要求5所述的微机电系统,其特征在于:
上述第一梁和上述第二梁被配置为呈一直线状。
8.根据权利要求7所述的微机电系统,其特征在于:
上述第一梁在上述第一梁的一端与上述第一梁的另一端之间具有第一折回部,上述第二梁在上述第二梁的一端与上述第二梁的另一端之间具有第二折回部。
9.根据权利要求8所述的微机电系统,其特征在于:
上述第一固定部与上述第二固定部之间的距离小于上述第一折回部与上述第二折回部之间的距离。
10.根据权利要求8所述的微机电系统,其特征在于:
上述第一固定部与上述第二固定部相同。
11.根据权利要求8所述的微机电系统,其特征在于:
上述第一梁具有多个梁,上述第二梁也具有多个梁。
12.根据权利要求11所述的微机电系统,其特征在于:
构成上述第一梁的多个梁的根数与构成上述第二梁的多个梁的根数相同。
13.根据权利要求1所述的微机电系统,其特征在于:
上述第一半导体芯片隔着粘接材料而装载在下层衬底上。
14.根据权利要求13所述的微机电系统,其特征在于:
上述下层衬底是形成有集成电路的第二半导体芯片。
15.根据权利要求13所述的微机电系统,其特征在于:
上述第一半导体芯片上产生的应力包括伴随上述粘接材料的体积变形而产生的应力。
16.根据权利要求1所述的微机电系统,其特征在于:
上述第一半导体芯片是由衬底层、形成在上述衬底层上的埋入绝缘层、形成在上述埋入绝缘层上的硅层构成的SOI衬底。
17.根据权利要求16所述的微机电系统,其特征在于:
上述第一固定部和上述第二固定部是对上述硅层进行加工而形成,并且隔着存在于上述硅层的下层的上述埋入绝缘层而被固定于上述衬底层,
上述第一梁、上述第二梁以及上述可动体是对上述硅层进行加工而形成,并且通过将存在于上述硅层的下层的上述埋入绝缘层除去而被保持为从上述衬底层浮起的状态。
18.根据权利要求17所述的微机电系统,其特征在于:
上述第一半导体芯片上产生的应力包括由于上述埋入绝缘层与上述硅层的热膨胀系数的不同而在上述第一固定部和上述第二固定部上产生的应力,其中第一固定部和第二固定部由固定在上述埋入绝缘层上的上述硅层形成。
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