[发明专利]SOI芯片的制造方法及SOI芯片有效
| 申请号： | 200980131333.5 | 申请日： | 2009-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102119435A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 冈哲史;桑原登 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/205;H01L27/12 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郭晓东;马少东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | soi 芯片 制造 方法 | ||
1.一种SOI芯片的制造方法，在该SOI芯片的BOX层上具有SOI层，在该SOI层上，使外延层成长而将该SOI层增厚，其特征在于，
使用SOI芯片来外延成长，该使所述外延层成长的SOI芯片的在800～1300纳米的红外线波长区域中的红外线反射率为20％以上40％以下。
2.如权利要求1所述的SOI芯片的制造方法，其特征在于，将使所述外延层成长的SOI芯片的BOX层的厚度设为30纳米以下或((340的正整数倍)±20)纳米。
3.如权利要求1或2所述的SOI芯片的制造方法，其特征在于，
以如下方式来制作出使所述外延层成长的SOI芯片，即，从接合芯片的表面植入氢离子、稀有气体离子的至少一种，在芯片内部形成离子植入层，经由氧化膜将所述接合芯片的离子植入侧的表面与基体芯片的表面紧贴，随后，以所述离子植入层为界，将接合芯片分离成薄膜状。
4.如权利要求1至3中任一项所述的SOI芯片的制造方法，其特征在于，
使用将照射在所述SOI芯片上的红外线灯的发光波长限定于800～1300纳米的单片式灯加热装置，来使所述外延层成长。
5.如权利要求1至4中任一项所述的SOI芯片的制造方法，其特征在于，使所述外延层成长为厚度比1微米更厚。
6.一种SOI芯片，由基体芯片、该基体芯片上的BOX层及该BOX层上的SOI层构成，且该基体芯片由单晶硅所构成，其特征在于，
所述BOX层的厚度为30纳米以下或((340的正整数倍)±20)纳米，且所述SOI层是由所述BOX层上的单晶硅层及在该单晶硅层上成长而成的外延层构成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
