[发明专利]太阳能电池模块及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200980131436.1 申请日: 2009-08-17
公开(公告)号: CN102124571A 公开(公告)日: 2011-07-13
发明(设计)人: 李裕进;金东济;张锡弼;李永浩;李炳一;张泽龙 申请(专利权)人: TG太阳能株式会社
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 陈英俊
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 模块 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池模块,其特征在于,包括:

多个太阳能电池,以行和列方向排列;以及

导电带,电连接上述多个太阳能电池,

上述太阳能电池是由多晶半导体层构成的第一光电元件和由非晶半导体层构成的第二光电元件的层叠结构。

2.如权利要求1所述的太阳能电池模块,其特征在于,

上述太阳能电池包括:

导电性材质的基板;

第一光电元件,包括形成在上述基板上的第一多晶半导体层、形成在上述第一多晶半导体层上的第二多晶半导体层和形成在上述第二多晶半导体层上的第三多晶半导体层;

第二光电元件,包括形成在上述第三多晶半导体层上的第一非晶半导体层、形成在上述第一非晶半导体层上的第二非晶半导体层和形成在上述第二非晶半导体层上的第三非晶半导体层;

上部电极,形成在上述第三非晶半导体层上;以及

多个栅电极,在上述上部电极上沿一方向形成。

3.如权利要求2所述的太阳能电池模块,其特征在于,

上述栅电极与在一方向上相邻的其他太阳能电池的基板通过上述导电带连接。

4.如权利要求2所述的太阳能电池模块,其特征在于,

在上述基板上还形成导电性材质的下部电极。

5.如权利要求4所述的太阳能电池模块,其特征在于,

上述下部电极是透明导电氧化物、钼、钨、钨钼合金中的任一个或它们的合金。

6.如权利要求2所述的太阳能电池模块,其特征在于,

上述基板是金属或金属合金。

7.如权利要求2所述的太阳能电池模块,其特征在于,

上述上部电极是透明导电体。

8.如权利要求2所述的太阳能电池模块,其特征在于,

在上述第三多晶半导体层和上述第一非晶半导体层之间,还形成作为透明导电体的连接层。

9.如权利要求7或8所述的太阳能电池模块,其特征在于,

上述透明导电体包括铟锡氧化物、锌氧化物、铟锌氧化物、SnO:F、ZnO:Al。

10.如权利要求2所述的太阳能电池模块,其特征在于,

上述第一多晶半导体层、上述第二多晶半导体层、上述第三多晶半导体层分别通过固相结晶法、准分子激光晶化法、连续侧向晶化法、金属诱导晶化法以及金属诱导侧向晶化法中的任一种方法进行结晶化。

11.如权利要求2所述的太阳能电池模块,其特征在于,

上述第一多晶半导体层、上述第二多晶半导体层、上述第三多晶半导体层是多晶硅,上述第一非晶半导体层、上述第二非晶半导体层、上述第三非晶半导体层是非晶硅。

12.一种太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,包括:

(a)形成多个太阳能电池的步骤,该多个太阳能电池是由多晶半导体层构成的第一光电元件和由非晶半导体层构成的第二光电元件的层叠结构;

(b)通过导电带将上述多个太阳能电池电连接的步骤。

13.如权利要求12所述的太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,

形成多个上述太阳能电池的步骤包括:

(a1)在导电性材质的基板上形成下部第一非晶半导体层的步骤;

(a2)在上述下部第一非晶半导体层上形成下部第二非晶半导体层的步骤;

(a3)在上述下部第二非晶半导体层上形成下部第三非晶半导体层的步骤;

(a4)将上述下部第一非晶半导体层、上述第二非晶半导体层、上述第三非晶半导体层结晶化为第一多晶半导体层、第二多晶半导体层、第三多晶半导体层的步骤;

(a5)在上述第三多晶半导体层上形成上部第一非晶半导体层的步骤;

(a6)在上述上部第一非晶半导体层上形成上部第二非晶半导体层的步骤;

(a7)在上述上部第二非晶半导体层上形成上部第三非晶半导体层的步骤;

(a8)在上述上部第三非晶半导体层上形成上部电极的步骤;以及

(a9)在上述上部电极上沿一方向形成多个栅电极的步骤。

14.如权利要求13所述的太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,

还包括在上述基板上形成导电性材质的下部电极的步骤。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TG太阳能株式会社,未经TG太阳能株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980131436.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top