[发明专利]太阳能电池模块及其制造方法无效
申请号: | 200980131436.1 | 申请日: | 2009-08-17 |
公开(公告)号: | CN102124571A | 公开(公告)日: | 2011-07-13 |
发明(设计)人: | 李裕进;金东济;张锡弼;李永浩;李炳一;张泽龙 | 申请(专利权)人: | TG太阳能株式会社 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 模块 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池模块,其特征在于,包括:
多个太阳能电池,以行和列方向排列;以及
导电带,电连接上述多个太阳能电池,
上述太阳能电池是由多晶半导体层构成的第一光电元件和由非晶半导体层构成的第二光电元件的层叠结构。
2.如权利要求1所述的太阳能电池模块,其特征在于,
上述太阳能电池包括:
导电性材质的基板;
第一光电元件,包括形成在上述基板上的第一多晶半导体层、形成在上述第一多晶半导体层上的第二多晶半导体层和形成在上述第二多晶半导体层上的第三多晶半导体层;
第二光电元件,包括形成在上述第三多晶半导体层上的第一非晶半导体层、形成在上述第一非晶半导体层上的第二非晶半导体层和形成在上述第二非晶半导体层上的第三非晶半导体层;
上部电极,形成在上述第三非晶半导体层上;以及
多个栅电极,在上述上部电极上沿一方向形成。
3.如权利要求2所述的太阳能电池模块,其特征在于,
上述栅电极与在一方向上相邻的其他太阳能电池的基板通过上述导电带连接。
4.如权利要求2所述的太阳能电池模块,其特征在于,
在上述基板上还形成导电性材质的下部电极。
5.如权利要求4所述的太阳能电池模块,其特征在于,
上述下部电极是透明导电氧化物、钼、钨、钨钼合金中的任一个或它们的合金。
6.如权利要求2所述的太阳能电池模块,其特征在于,
上述基板是金属或金属合金。
7.如权利要求2所述的太阳能电池模块,其特征在于,
上述上部电极是透明导电体。
8.如权利要求2所述的太阳能电池模块,其特征在于,
在上述第三多晶半导体层和上述第一非晶半导体层之间,还形成作为透明导电体的连接层。
9.如权利要求7或8所述的太阳能电池模块,其特征在于,
上述透明导电体包括铟锡氧化物、锌氧化物、铟锌氧化物、SnO:F、ZnO:Al。
10.如权利要求2所述的太阳能电池模块,其特征在于,
上述第一多晶半导体层、上述第二多晶半导体层、上述第三多晶半导体层分别通过固相结晶法、准分子激光晶化法、连续侧向晶化法、金属诱导晶化法以及金属诱导侧向晶化法中的任一种方法进行结晶化。
11.如权利要求2所述的太阳能电池模块,其特征在于,
上述第一多晶半导体层、上述第二多晶半导体层、上述第三多晶半导体层是多晶硅,上述第一非晶半导体层、上述第二非晶半导体层、上述第三非晶半导体层是非晶硅。
12.一种太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,包括:
(a)形成多个太阳能电池的步骤,该多个太阳能电池是由多晶半导体层构成的第一光电元件和由非晶半导体层构成的第二光电元件的层叠结构;
(b)通过导电带将上述多个太阳能电池电连接的步骤。
13.如权利要求12所述的太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,
形成多个上述太阳能电池的步骤包括:
(a1)在导电性材质的基板上形成下部第一非晶半导体层的步骤;
(a2)在上述下部第一非晶半导体层上形成下部第二非晶半导体层的步骤;
(a3)在上述下部第二非晶半导体层上形成下部第三非晶半导体层的步骤;
(a4)将上述下部第一非晶半导体层、上述第二非晶半导体层、上述第三非晶半导体层结晶化为第一多晶半导体层、第二多晶半导体层、第三多晶半导体层的步骤;
(a5)在上述第三多晶半导体层上形成上部第一非晶半导体层的步骤;
(a6)在上述上部第一非晶半导体层上形成上部第二非晶半导体层的步骤;
(a7)在上述上部第二非晶半导体层上形成上部第三非晶半导体层的步骤;
(a8)在上述上部第三非晶半导体层上形成上部电极的步骤;以及
(a9)在上述上部电极上沿一方向形成多个栅电极的步骤。
14.如权利要求13所述的太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,
还包括在上述基板上形成导电性材质的下部电极的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的