[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体发光器件及其制造方法。

背景技术

III-V族氮化物半导体已经多样化地用作：包括蓝色/绿色发光二极管(LED)的光学器件、诸如金属半导体场效应晶体管(MOSFET)和异质结场效应晶体管(HEMT)等的高速开关装置、以及照明和显示设备等的光源。特别地，使用了III族氮化物半导体的发光器件能够实现高效率发光，具有与从可视光线到紫外线的区域相对应的直接跃迁型带隙。

氮化物半导体已主要用作发光二极管(LED)或激光二极管(LD)，并且已继续进行用于改进制造工艺或提高光学效率的研究。

发明内容

[技术问题]

实施例提供了一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件能够将芯片的发光部划分为多个发光区域。

实施例提供了一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件能够通过多个发光区域来提高外部量子效率。

实施例提供了一种半导体发光器件及其制造方法，通过形成如下的结构划分凹槽，该半导体发光器件能够通过多个划分区域来发射光，所述结构划分凹槽具有将发光结构的内侧划分为多个区域的深度。

实施例提供了一种半导体发光器件及其制造方法，通过在发光结构与第二电极层之间的内侧布置有欧姆接触层并且/或在该发光结构与第二电极层之间的外侧布置有保护层，该半导体发光器件能够提高电气可靠性。

[技术方案]

实施例提供了一种半导体发光器件，其包括：第二电极层；发光结构，该发光结构形成在第二电极层下方，包括多个化合物半导体层；至少一个划分凹槽，所述至少一个划分凹槽将发光结构的下部各层的内侧区域划分为多个区域；以及第一电极，该第一电极位于发光结构下方。

实施例提供了一种半导体发光器件，其包括：第二电极层，该第二电极层包括反射电极；欧姆接触层，该欧姆接触层位于第二电极层下方；发光结构，该发光结构位于欧姆接触层下方并包括多个化合物半导体层，所述多个化合物半导体层包括第二导电型半导体层；至少一个划分凹槽，所述至少一个划分凹槽将发光结构的下部各层的内侧区域划分为多个区域；以及第一电极，该第一电极位于发光结构下方。

一种用于制造半导体发光器件的方法包括：在衬底上形成包括多个化合物半导体层的发光结构；在该发光结构上形成欧姆接触层；在该欧姆接触层上形成第二电极层；将衬底与发光结构分离；形成多个划分凹槽，所述多个划分凹槽将发光结构的内侧区域划分为多个发光区域；以及在发光结构下方形成第一电极。

在附图和以下描述中，阐明了一个或多个实施例的细节。根据该描述和附图以及权利要求，其它特征将会显而易见。

[有益效果]

根据实施例，芯片的内侧被划分为多个发光区域，从而能够提高面积变大的该芯片中的外部量子效率，并且能够使内部光散射最小化。

实施例在发光结构与第二电极层之间布置有欧姆接触层和/或保护层，从而能够提高芯片良品率。

实施例能够提高半导体发光器件的电气可靠性。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的半导体发光器件的侧视截面图。

图2是图1的平面图。

图3至图11是示出根据第一实施例的半导体发光器件的制造工艺的图。

图12是示出根据第二实施例的半导体发光器件的侧视截面图。

图13是图12的平面图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图来描述根据实施例的半导体发光器件。在下文中，当说明这些实施例时，对于被称为“在各个层上或下方”的基准，可以参考附图进行说明，并且还通过示例来说明每个层的厚度，但该厚度不限于附图所示的厚度。

在实施例中，当一个层(膜)、区域、图案或结构被称为在基板、另一层(膜)、区域、焊盘或图案“上”或“下方”时，该“上”和“下方”包括“直接”和“间接”的意思。

下面将参考附图来说明根据实施例的半导体发光器件。

图1是示出根据第一实施例的半导体发光器件的侧视截面图。图2是图1的平面图。

参考图1和图2，半导体发光器件100包括发光结构105、第一电极112、保护层140、欧姆接触层150、第二电极层160、以及导电支撑构件170。

半导体发光器件100包括多个化合物半导体，例如使用III-V族化合物半导体的LED，其中，该LED可以是发射蓝光、绿光、红光等的彩色LED，或者是UV LED。在实施例的技术范围内，可以多样化地实现从该LED发射的光。