[发明专利]绝缘片以及叠层结构体无效
申请号: | 200980131818.4 | 申请日: | 2009-03-04 |
公开(公告)号: | CN102124066A | 公开(公告)日: | 2011-07-13 |
发明(设计)人: | 前中宽;青山卓司;日下康成;樋口勋夫;渡边贵志;高桥良辅;近藤峻右 | 申请(专利权)人: | 积水化学工业株式会社 |
主分类号: | C09J7/02 | 分类号: | C09J7/02;B32B27/38;C09J11/04;C09J11/08;C09J163/00;C09J171/10;H01B3/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张平元 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘 以及 结构 | ||
1.一种绝缘片,其用于将导热率为10W/m·K以上的导热体粘结在导电层上,该绝缘片包含:
重均分子量为10,000以上的聚合物(A);
环氧单体(B1)和氧杂环丁烷单体(B2)中的至少一种单体(B),所述环氧单体(B1)具有芳香族骨架且重均分子量为600以下,所述氧杂环丁烷单体(B2)具有芳香族骨架且重均分子量为600以下;
固化剂(C);
第1无机填料(D);以及,
有机填料(E1)和第2无机填料(E2)中的至少一种填料(E),所述第2无机填料(E2)与上述第1无机填料(D)不同,且该第2无机填料(E2)的新莫氏硬度为3以下,
其中,上述第1无机填料(D)的含量为20~60体积%,
上述填料(E)的含量为1~40体积%,且上述填料(E)含有上述有机填料(E1)时,上述有机填料(E1)的含量为3~40体积%。
2.权利要求1所述的绝缘片,其中,上述填料(E)为上述有机填料(E1),且上述有机填料(E1)的含量为3~40体积%。
3.权利要求1或2所述的绝缘片,其中,上述第1无机填料(D)的导热率为10W/m·K,且其新莫氏硬度为3.1以上。
4.权利要求1或3所述的绝缘片,其中,上述填料(E)为上述第2无机填料(E2),且上述第2无机填料(E2)的含量为1~40体积%。
5.权利要求4所述的绝缘片,其中,上述第1无机填料(D)以及上述第2无机填料(E2)满足下述式(X):
{(第1无机填料(D)的新莫氏硬度)×(绝缘片100体积%中第1无机填料(D)的含量(体积%))}+{(第2无机填料(E2)的新莫氏硬度)×(绝缘片100体积%中第2无机填料(E2)的含量(体积%))}]<6......式(X)。
6.权利要求1、3、4及5中任一项所述的绝缘片,其中,上述第2无机填料(E2)选自硅藻土、氮化硼、氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、滑石、高岭土、粘土以及云母中的至少一种。
7.权利要求1~3中任一项所述的绝缘片,其中,上述有机填料(E1)具有核壳结构。
8.权利要求1~3以及7中任一项所述的绝缘片,其中,上述有机填料(E1)为含有有机物和下述化合物的复合填料,所述化合物具有氧原子直接键合在硅原子上形成的骨架。
9.权利要求1~8中任一项所述的绝缘片,其中,上述第1无机填料(D)选自氧化铝、合成菱镁矿、结晶性二氧化硅、氮化铝、氮化硅、碳化硅、氧化锌以及氧化镁中的至少一种。
10.权利要求1~9中任一项所述的绝缘片,其中,上述聚合物(A)为具有芳香族骨架且重均分子量为30,000以上的聚合物。
11.权利要求1~10中任一项所述的绝缘片,其中,上述聚合物(A)为苯氧树脂。
12.权利要求11所述的绝缘片,其中,上述苯氧树脂的玻璃化转变温度Tg为95℃以上。
13.权利要求1~12中任一项所述的绝缘片,其中,上述固化剂(C)为酚醛树脂、或具有芳香族骨架或脂环式骨架的酸酐、该酸酐的氢化物或该酸酐的改性物。
14.权利要求13所述的绝缘片,其中,上述固化剂(C)为具有多脂环式骨架的酸酐、该酸酐的氢化物或该酸酐的改性物、或具有由萜烯类化合物与马来酸酐经加成反应而得到的脂环式骨架的酸酐、该酸酐的氢化物或该酸酐的改性物。
15.权利要求14所述的绝缘片,其中,上述固化剂(C)为下述式(1)~(3)中任意之一表示的酸酐,
上述式(3)中,R1及R2各自表示氢、碳原子数为1~5的烷基或羟基。
16.权利要求13所述的绝缘片,其中,上述固化剂(C)为具有蜜胺骨架或三嗪骨架的酚醛树脂、或具有烯丙基的酚醛树脂。
17.一种叠层结构体,其包括:
导热率为10W/m·K以上的导热体、
叠层在上述导热体至少一面上的绝缘层、以及
叠层在上述绝缘层的与叠层有上述导热体的面相反一侧的面上的导电层,其中,
上述绝缘层由权利要求1~16中任一项所述的绝缘片固化而形成。
18.权利要求17所述的叠层结构体,其中,上述导热体为金属。
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