[发明专利]碳基纳米结构的层-层组装及其在储能和产能装置中的应用

权利要求书

1.一种形成电极的方法，包括：

提供包含碳基纳米结构的第一流体，所述第一流体中的碳基纳米结构包含带正电的官能团；

提供包含碳基纳米结构的第二流体，所述第二流体中的碳基纳米结构包含带负电的官能团；

将基底表面的第一部分暴露于所述第一流体，并且贴近所述基底表面的第一部分沉积第一组碳基纳米结构；和

单独地将与所述基底表面的第一部分可相同或不同的所述基底表面的第二部分暴露于所述第二流体，并且贴近所述基底表面的第二部分沉积第二组碳基纳米结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底包括硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底包括玻璃。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底包括聚合物。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底为平面的。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底为非平面的。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述带正电的官能团包含胺。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述胺包括NH2(CH₂)₂NH₂。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述带负电的官能团包含羧基。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二流体的pH为约2.5。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二流体的pH为约4.5。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一流体的pH为约2.5。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一流体的pH为约4.5。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一流体的pH为约1至约7。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一流体的pH为约2至约6。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一流体的pH为约2.5至约4.5。

17.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二流体的pH为约1至约7。

18.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二流体的pH为约2至约6。

19.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二流体的pH为约2.5至约4.5。

20.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将所述基底表面的第二部分暴露于所述第二流体之后，单独地将与所述基底表面的第一和/或第二部分可相同或不同的所述基底表面的第三部分暴露于所述第一流体，并且贴近所述基底表面的第三部分沉积第三组碳基纳米结构。

21.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将所述基底表面的第二部分暴露于所述第二流体之后，单独地将与所述基底表面的第一和/或第二部分可相同或不同的所述基底表面的第三部分暴露于包含碳基纳米结构的第三流体，所述第三流体中的碳基纳米结构包含带负电的官能团，并且贴近所述基底表面的第三部分沉积第三组碳基纳米结构。

22.根据权利要求1所述的方法，还包括使所述基底表面与所述碳基纳米结构分离。

23.根据权利要求16所述的方法，其中所述分离步骤包括将所述组合件暴露于水。

24.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和/或第二组碳基纳米结构包含碳纳米管。

25.根据权利要求24所述的方法，其中所述碳纳米管包含多壁碳纳米管。

26.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一流体包含其中悬浮了包含带正电的官能团的碳基纳米结构的第一载体流体，并且所述第二流体包含其中悬浮了包含带负电的官能团的碳基纳米结构的第二载体流体。

27.根据权利要求26所述的方法，其中所述第一载体流体和第二载体流体相同。

28.根据权利要求26所述的方法，其中所述第一载体流体和第二载体流体不同。