[发明专利]半导体光转换构造

权利要求书

1.一种半导体光转换构造，包括：

第一半导体层，用于吸收第一波长的光的至少一部分；

半导体势阱，用于将所吸收的第一波长的光的至少一部分转换成更长的第二波长的光；以及

第二半导体层，能够吸收所述第一波长的光的至少一部分，所述第一半导体层在所述第二波长下具有最大第一折射率，所述第二半导体层在所述第二波长下具有大于所述最大第一折射率的第二折射率。

2.根据权利要求1所述的半导体光转换构造，其中所述第一半导体层的带隙能量大于所述第二波长的光子的能量。

3.根据权利要求1所述的半导体光转换构造，其中所述第二半导体层的带隙能量大于所述第二波长的光子的能量。

4.根据权利要求1所述的半导体光转换构造，其中所述第二半导体层的带隙能量小于所述第一半导体层的最小带隙能量。

5.根据权利要求1所述的半导体光转换构造，其中所述第一半导体层的带隙能量大于所述半导体势阱的跃迁能量。

6.根据权利要求1所述的半导体光转换构造，其中所述第二半导体层的带隙能量大于所述半导体势阱的跃迁能量。

7.根据权利要求1所述的半导体光转换构造，其中当利用光谱中心为所述第一波长并且包括长于所述第一波长的波长λ_e的入射光照射时，所述第一半导体层吸收所述第一波长的光但不吸收λ_e的光，而所述第二半导体层吸收λ_e的光。

8.一种发光系统，包括：

LED，发射第一波长的光；以及

根据权利要求1所述的半导体光转换构造，接收由所述LED发射的光。

9.一种半导体光转换构造，包括：

第一半导体层，用于吸收第一波长的光的至少一部分；

半导体势阱，用于将所吸收的第一波长的光的至少一部分转换成更长的第二波长的光；以及

第二半导体层，能够吸收所述第一波长的光的至少一部分，所述第二半导体层的带隙能量小于所述第一半导体层的最小带隙能量。

10.根据权利要求9所述的半导体光转换构造，其中所述第一半导体层的带隙能量大于所述第二波长的光子的能量。

11.根据权利要求9所述的半导体光转换构造，其中所述第二半导体层的带隙能量大于所述第二波长的光子的能量。

12.根据权利要求9所述的半导体光转换构造，其中所述第二半导体层在所述第二波长下的折射率大于所述第一半导体层在所述第二波长下的最大折射率。

13.根据权利要求9所述的半导体光转换构造，其中所述第一半导体层的带隙能量大于所述半导体势阱的跃迁能量。

14.根据权利要求9所述的半导体光转换构造，其中所述第二半导体层的带隙能量大于所述半导体势阱的跃迁能量。

15.据权利要求9所述的半导体光转换构造，其具有多个半导体势阱，所述半导体光转换构造中的各个势阱具有相同的跃迁能量。

16.据权利要求9所述的半导体光转换构造，其包括多个具有不同跃迁能量的半导体势阱。

17.一种发光系统，包括：

LED；以及

根据权利要求9所述的半导体光转换构造，接收由所述LED发射的光。

18.一种光学构造，包括：

第一半导体层，在可见光内的第一波长下具有折射率n₁；

第二半导体层，设置在所述第一半导体层上，并且在所述第一波长下具有折射率n₂，n₂小于n₁；

第三半导体层，设置在所述第二半导体层上，并且在所述第一波长下具有折射率n₃，n₃大于n₂；

结构化层，直接设置在所述第三半导体层上；以及

外涂层，直接设置在所述结构化层的至少一部分上，其中所述光学构造在所述第一波长下基本为透射性的。

19.根据权利要求18所述的光学构造，其中所述外涂层包括光子晶体。