[发明专利]场效应晶体管、显示元件、图像显示装置和系统

权利要求书

1.一种场效应晶体管，包括：

栅极电极，向其施加栅极电压；

源极电极和漏极电极，用于获得响应于所述栅极电压的电流；

活性层，邻近所述源极电极和漏极电极提供，并由包括镁和铟作为主要组分的氧化物半导体形成；以及

栅极绝缘层，在所述栅极电极与所述活性层之间提供。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述氧化物半导体具有10^-2Ωcm至10⁹Ωcm的体电阻率。

3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，包括在所述氧化物半导体中的铟由铝和镓中的至少一个部分地代替。

4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，包括在所述氧化物半导体中的镁由钙、锶和钡中的至少一个部分地代替。

5.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述氧化物半导体的至少一部分具有尖晶石结构或者橄榄石结构。

6.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述氧化物半导体的至少一部分是无定形的。

7.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，包括在所述氧化物半导体中的氧由氮和氟中的至少一个部分地代替。

8.一种显示元件，包括：

光控制元件，根据驱动信号控制其光输出；以及

驱动电路，包括根据权利要求1所述的场效应晶体管，并被配置为驱动所述光控制元件。

9.根据权利要求8所述的显示元件，其中，所述光控制元件包括有机电致发光元件。

10.根据权利要求8所述的显示元件，其中，所述光控制元件包括液晶元件。

11.一种用于根据图像数据显示图像的图像显示装置，包括：

多个以矩阵形式布置的、根据权利要求8所述的显示元件；

多条导线，被配置为分别施加栅极电压到所述多个显示元件的每个场效应晶体管；以及

显示控制装置，被配置为根据所述图像数据通过所述多条导线分别控制施加到每个场效应晶体管的栅极电压。

12.一种系统，包括：

根据权利要求11所述的图像显示装置；以及

图像数据形成装置，被配置为根据将要显示的图像信息形成图像数据并输出所述图像数据到所述图像显示装置。