[发明专利]磁场检测元件及信号传递元件有效
| 申请号： | 200980132270.5 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102132168A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 今谷浩史;山元政昭;仲真美子;金田安司;白川究 | 申请（专利权）人： | 欧姆龙株式会社;财团法人电气磁气材料研究所 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/02;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁场 检测 元件 信号 传递 | ||
1.一种磁场检测元件，其特征在于，具有：
磁致电阻效果部，其由磁致电阻效果材料构成；
一对磁轭部，其由软磁性材料构成，电连接地配设于所述磁致电阻效果部的两侧，向所述磁致电阻效果部供给磁通；
旁通部，其由软磁性材料构成，感应在所述磁轭部产生的磁通的一部分，使所述磁致电阻效果部迂回，以比所述磁轭部更低的磁场强度使磁通饱和。
2.如权利要求1所述的磁场检测元件，其特征在于，所述旁通部与所述磁致电阻效果部及所述磁轭部电绝缘。
3.如权利要求1所述的磁场检测元件，其特征在于，
所述磁致电阻效果部及所述磁轭部以膜状形成于同一平面上，
所述旁通部以与所述磁致电阻效果部至少部分重合的方式且在与所述磁轭部之间隔开间隙形成为膜状。
4.如权利要求1所述的磁场检测元件，其特征在于，
在所述旁通部的磁通未饱和的磁场强度中，所述磁轭部之间的经由所述旁通部迂回所述磁致电阻效果部的磁路的磁阻比所述磁致电阻效果部的磁阻小。
5.如权利要求1所述的磁场检测元件，其特征在于，
所述旁通部在局部以不同的磁场强度使磁通饱和。
6.如权利要求5所述的磁场检测元件，其特征在于，
所述旁通部包含引导磁通的方向的长度不同的部分。
7.一种信号传递元件，其特征在于，具有权利要求1所述的磁场检测元件、和根据输入信号对所述磁场检测元件施加磁场的线圈。
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