[发明专利]团簇喷射式加工方法、半导体元件、微机电元件及光学零件

权利要求书

1.一种团簇喷射式加工方法，其特征在于，

在不会使由反应性气体和沸点比反应性气体的沸点低的气体构成的混合气体发生液化的范围内的压力下，使该混合气体自喷出部沿规定的方向一边绝热膨胀一边喷出，生成反应性团簇，将上述反应性团簇喷射到真空处理室内的试样上从而加工试样表面。

2.如权利要求1所述的团簇喷射式加工方法，其特征在于，

上述反应性气体为卤素间化合物气体或者卤化氢气体。

3.如权利要求1或2所述的团簇喷射式加工方法，其特征在于，

上述试样为半导体材料或者金属材料。

4.如权利要求1所述的团簇喷射式加工方法，其特征在于，

采用光致抗蚀剂、氧化硅膜、氮化硅膜以及氧氮化硅膜中的任意一种以上在上述试样表面上形成图案，将上述图案用作掩模来加工上述试样。

5.如权利要求1所述的团簇喷射式加工方法，其特征在于，

在上述试样表面上，采用对上述反应性气体有耐受性的金属材料形成图案，将上述图案用作掩模来加工上述试样。

6.如权利要求1所述的团簇喷射式加工方法，其特征在于，

通过使上述反应性团簇相对于上述试样的表面自倾斜的方向喷射，从而倾斜地加工上述试样。

7.如权利要求6所述的团簇喷射式加工方法，其特征在于，

通过移动上述喷出部或者上述试样，使上述试样表面平坦化。

8.如权利要求1所述的团簇喷射式加工方法，其特征在于，

通过移动上述喷出部或者上述试样，进行直线加工、曲线加工以及大面积加工。

9.如权利要求1所述的团簇喷射式加工方法，其特征在于，

在上述试样上形成通孔。

10.如权利要求1所述的团簇喷射式加工方法，其特征在于，

在去除了试样表面的自然氧化膜之后，加工试样表面。

11.如权利要求1所述的团簇喷射式加工方法，其特征在于，

同时进行从下述加工方法中选择的1种或2种以上的加工方法，即，自多个上述喷出部沿相同方向喷出上述反应性气体而将反应性团簇喷出到上述试样上的加工方法；自多个上述喷出部沿不同方向喷出上述反应性气体而将反应性团簇喷出到上述试样上的加工方法；以及，使上述多个喷出部的流量、压力相同或分别控制多个喷出部的流量、压力而将反应性团簇喷出到上述试样上的加工方法。

12.一种半导体元件，其特征在于，

该半导体元件具有被蚀刻了的半导体基板，该半导体基板是如下被蚀刻的：在不会使由反应性气体和沸点比反应性气体的沸点低的气体构成的混合气体发生液化的范围内的压力下，使该混合气体沿规定的方向一边绝热膨胀一边喷出，通过将生成的反应性团簇喷射到真空处理室内，从而蚀刻该半导体基板。

13.一种微机电元件，其特征在于，

该微机电元件具有被加工了的基板，在不会使由反应性气体和沸点比反应性气体的沸点低的气体构成的混合气体发生液化的范围内的压力下，使该混合气体沿规定的方向一边绝热膨胀一边喷出，通过将生成的反应性团簇喷射到真空处理室内，从而加工该基板。

14.一种光学零件，其特征在于，

该光学零件具有光学图案，在不会使由反应性气体和沸点比反应性气体的沸点低的气体构成的混合气体发生液化的范围内的压力下，使混合气体沿规定的方向一边绝热膨胀一边喷出，通过将生成的反应性团簇喷射到真空处理室内，从而形成该光学图案。