[发明专利]表面处理陶瓷构件、其制造方法及真空处理装置有效
申请号: | 200980132385.4 | 申请日: | 2009-08-10 |
公开(公告)号: | CN102123970A | 公开(公告)日: | 2011-07-13 |
发明(设计)人: | 中野贤明;伊东润一;平松大典;荒堀忠久;冈本研 | 申请(专利权)人: | 爱发科股份有限公司;飞罗得陶瓷股份有限公司 |
主分类号: | C04B41/84 | 分类号: | C04B41/84;C01B33/12;C23C18/02;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 处理 陶瓷 构件 制造 方法 真空 装置 | ||
1.一种表面处理陶瓷构件,其为孔隙率为1%以下的陶瓷烧结体基材的至少部分具有皮膜形成表面的陶瓷构件,
皮膜形成表面是由硅醇盐化合物聚合体的溶胶凝胶皮膜和基材表面混杂存在而成的。
2.根据权利要求1所述的表面处理陶瓷构件,其特征在于,所述溶胶凝胶皮膜的面积率为所述皮膜形成表面整体的5~80%。
3.根据权利要求1或2所述的表面处理陶瓷构件,其特征在于,在所述皮膜形成表面中,陶瓷烧结体基材表面的凹部被所述溶胶凝胶皮膜选择性覆盖。
4.根据权利要求1~3中任意一项所述的表面处理陶瓷构件,其特征在于,其用于真空处理装置或气氛处理装置。
5.根据权利要求4所述的表面处理陶瓷构件,其特征在于,至少在与处理气氛接触的部分形成有所述皮膜形成表面。
6.一种表面处理陶瓷构件的制造方法,其特征在于,在孔隙率为1%以下的陶瓷烧结体基材的表面涂布由硅醇盐化合物聚合体的溶胶凝胶构成的皮膜材料,然后在满足固化前的皮膜材料残存于陶瓷烧结体表面的凹部的条件下除去部分皮膜材料,并使残存于陶瓷烧结体表面的凹部的皮膜材料固化。
7.根据权利要求6所述的表面处理陶瓷构件的制造方法,其特征在于,部分皮膜材料的除去是通过擦拭进行的。
8.一种真空处理装置,其使用了权利要求1~5中任意一项所述的表面处理陶瓷构件。
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