[发明专利]具有*基的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物

权利要求书

1.一种膜形成用组合物，含有具有基的硅烷化合物，该具有基的硅烷化合物是分子内具有基的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物。

2.一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有具有基的硅烷化合物，该具有基的硅烷化合物是分子内具有基的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物。

3.如权利要求1或2所述的组合物，含有具有基的硅烷化合物和不具有基的硅烷化合物，在该硅烷化合物全体中具有基的硅烷化合物以小于1摩尔％的比例存在。

4.如权利要求1或2所述的组合物，含有具有基的硅烷化合物和不具有基的硅烷化合物，在该硅烷化合物全体中具有基的硅烷化合物以0.01～0.95摩尔％的比例存在。

5.如权利要求1～4的任一项所述的组合物，水解性有机硅烷以式(1)表示：

R¹_aR²_bSi(R³)_4-(a+b)     式(1)

式中，R¹表示基或含有基的有机基团，且R¹通过Si-N键、Si-P键、Si-S键或Si-C键与硅原子结合，R²表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、链烯基或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基或氰基的有机基团，且R²通过Si-C键与硅原子结合，R³表示烷氧基、酰氧基或卤素，a是整数1或2，b是整数0或1，a+b等于整数1或2。

6.如权利要求1～5的任一项所述的组合物，上述基是铵基、锍基、碘基或基。

7.如权利要求1～5的任一项所述的组合物，上述基是环状铵基或链状铵基。

8.如权利要求1～5的任一项所述的组合物，上述基是叔铵基或季铵基。

9.如权利要求6所述的组合物，上述环状铵基是式(2)所示的芳族杂环式铵基或式(5)所示的脂肪族杂环式铵基，

式中，A¹、A²、A³和A⁴分别表示式(3)、式(4)或式(4’)所示的基团，且A¹～A⁴中的至少一个表示式(4)所示的基团，取代基R⁴分别表示烷基、芳基、芳烷基、链烯基、羟基或由它们组合而成的基团，R⁴可以彼此形成环，n₁是1～8的整数，m₁是整数0或1，m₂是0、或是1至单环或多环上的最大可取代数之间的整数，

式中，R⁰分别表示单键、氢原子、烷基、芳基、芳烷基或链烯基，

式中，R⁰分别表示单键、氢原子、烷基、芳基、芳烷基或链烯基，

式中，A⁵、A⁶、A⁷和A⁸分别表示式(6)、式(7)或式(7’)所示基团，且A⁵～A⁸中的至少一个表示式(7)所示的基团，取代基R⁵分别表示烷基、芳基、芳烷基、链烯基、羟基或由它们组合而成的基团，R⁵可以彼此形成环，n₂是1～8的整数，m₃是0或1的整数，m₄是0、或是1至单环或多环上的最大可取代数之间的整数，

式中，R⁰分别表示单键、氢原子、烷基、芳基、芳烷基或链烯基，

式中，R⁰分别表示单键、氢原子、烷基、芳基、芳烷基或链烯基。

10.如权利要求6所述的组合物，上述链状铵基是式(8)所示的链状铵基，

式中，R⁰分别表示氢原子、烷基、芳基、芳烷基或链烯基。