[发明专利]封装电子装置的方法

权利要求书

1.封装电子装置阻挡渗透物的方法，其中提供基于丁烯嵌段共聚物的压敏粘合剂，特别是基于异丁烯嵌段共聚物的压敏粘合剂，以及将所述压敏粘合剂施用在欲封装的电子装置区域之上和/或周围。

2.权利要求1的方法，其特征在于，所述压敏粘合剂以胶带的形式提供。

3.权利要求1或2的方法，其特征在于，所述压敏粘合剂和/或欲封装的电子装置区域在施用压敏粘合剂之前、之中和/或之后进行加热。

4.前述权利要求任一项的方法，其特征在于，

所述压敏粘合剂在施用到电子装置之后进行交联。

5.前述权利要求任一项的方法，其特征在于，进行所述压敏粘合剂的施用而未随后固化。

6.压敏粘合剂用于封装电子装置阻挡渗透物的用途，特别是在前述权利要求任一项的方法中的用途，其特征在于，所述压敏粘合剂基于丁烯嵌段共聚物，特别是基于异丁烯嵌段共聚物。

7.权利要求6的用途，其特征在于，

所述压敏粘合剂含有由乙烯基芳族化合物，更具体是苯乙烯形成的聚合物嵌段，以及

所述压敏粘合剂含有由异丁烯或者异丁烯与正丁烯和/或1，3-二烯的组合的聚合形成的聚合物嵌段，该1，3-二烯更具体为丁二烯和/或异戊二烯，

和/或特定或完全氢化的聚合物嵌段。

8.权利要求6或7的用途，其特征在于，所述嵌段共聚物的聚乙烯基芳族化合物的含量为10wt％至35wt％。

9.权利要求6～8任一项的用途，其特征在于，所述压敏粘合剂的嵌段共聚物含量为至少20wt％，优选至少30wt％，更优选至少35wt％，和/或

所述压敏粘合剂的嵌段共聚物含量为至多90wt％，优选至多75wt％，更优选至多70wt％。

10.权利要求6～9任一项的用途，其特征在于，所述异丁烯嵌段共聚物的含量占嵌段共聚物总量的比例为至少40wt％，优选至少55wt％。

11.权利要求6～10任一项的用途，其特征在于，所述压敏粘合剂含有树脂或树脂混合物，优选氢化树脂，所述氢化树脂的氢化度为至少90％，更优选至少95％。

12.权利要求6～11任一项的用途，其特征在于，所述压敏粘合剂含有至少一种树脂，该树脂的DACP值大于30℃和MMAP值大于50℃，优选DACP值大于37℃和MMAP值大于60℃，和/或

所述压敏粘合剂含有至少一种树脂，该树脂的软化点大于95℃，更具体大于100℃。

13.权利要求6～12任一项的用途，其特征在于，所述压敏粘合剂含有一种或多种添加剂，所述添加剂优选选自：增塑剂、主抗氧化剂、辅助抗氧化剂、加工稳定剂、光稳定剂、加工助剂、末端嵌段增强树脂、聚合物，尤其是具有弹性的聚合物。

14.权利要求6～13任一项的用途，其特征在于，所述压敏粘合剂含有一种或多种填料，优选纳米填料、透明填料和/或吸气剂填料和/或清除剂填料。

15.权利要求6～14任一项的用途，其特征在于，所述压敏粘合剂呈透明形式，优选所述压敏粘合剂在400nm～800nm波长范围的平均透过率为至少75％，更优选至少90％。

16.权利要求6～15任一项的用途，其特征在于，所述压敏粘合剂在320nm～400nm的波长范围，优选280nm～400nm的波长范围，更优选190nm～400nm的波长范围，表现为UV-阻挡形式，UV-阻挡是指平均透过率为至多20％，优选至多10％，更优选至多1％。

17.权利要求6～16任一项的用途，其特征在于，所述压敏粘合剂的WVTR为小于40g/m²·d，优选小于10g/m²·d，更优选小于1g/m²·d，和/或

所述压敏粘合剂的OTR为小于5000g/m²·d·bar，优选小于3000g/m²·d·bar。

18.权利要求6～17任一项的用途，其特征在于，

所述压敏粘合剂呈胶带形式，更具体是无载体胶带形式。

19.电子装置，其具有压敏粘合剂和电子结构，该电子结构更具体是有机电子结构，其中所述电子结构至少被所述压敏粘合剂部分封装，其特征在于，所述压敏粘合剂表现为权利要求6～18任一项的形式。