[发明专利]传感器装置封装件和方法有效
申请号: | 200980132711.1 | 申请日: | 2009-08-21 |
公开(公告)号: | CN102132136A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 约翰·当特兰;罗杰·霍通 | 申请(专利权)人: | S3C公司 |
主分类号: | G01L9/06 | 分类号: | G01L9/06 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 装置 封装 方法 | ||
1.一种传感器装置封装件,其包括:
管座,其具有第一表面和第二表面,所述管座包括在所述第一表面和所述第二表面之间的管路、和在所述第一表面中的第一开口,其中所述第一开口与所述管路连通;和
管芯垫盘,其具有基底和从所述基底延伸出的支撑结构,所述支撑结构被构造为在其上容纳MEMS装置,所述MEMS装置具有第一热膨胀系数(CTE),所述管芯垫盘具有第二CTE,所述第二CTE与所述第一CTE大致相符,其中所述管芯垫盘的所述基底密封于所述管座的所述管路,
其中,所述支撑结构具有的尺寸被构造成当所述管芯垫盘在所述管路中经过热膨胀或收缩时使所述管座和所述管芯垫盘之间的力最小。
2.根据权利要求1所述的传感器装置封装件,其中所述管芯垫盘包括从由Invar、Kovar、玻璃、硅和陶瓷组成的群组中选出的材料。
3.根据权利要求1所述的传感器装置封装件,其中所述管座包括钢。
4.根据权利要求1所述的传感器装置封装件,其中所述管座包括铝。
5.根据权利要求1所述的传感器装置封装件,其中所述基底的壁厚大于所述支撑结构的壁厚。
6.根据权利要求1所述的传感器装置封装件,还包括基座,其中所述基座位于所述MEMS装置和所述支撑结构之间。
7.根据权利要求6所述的传感器装置封装件,其中所述基座和所述支撑结构形成为一体。
8.根据权利要求1所述的传感器装置封装件,其中所述管芯垫盘在其上包括镍-金层。
9.根据权利要求1所述的传感器装置封装件,其中所述管芯垫盘构造为容纳所述MEMS装置和至少一个其他装置。
10.根据权利要求9所述的传感器装置封装件,其中所述MEMS装置包括第二开口,所述第一开口被构造为与所述第二开口连通,并且其中,所述第一开口具有的直径小于所述第二开口。
11.一种用于形成传感器装置封装件的方法,其包括如下步骤:
形成管芯垫盘,所述管芯垫盘被构造为在其上容纳MEMS装置,所述MEMS装置具有第一热膨胀系数(CTE),其中所述管芯垫盘由具有第二CTE的材料制成,所述第二CTE与所述第一CTE大致相符,所述管芯垫盘具有基底和支撑结构,所述支撑结构从所述基底突伸;和
将所述管芯垫盘连结到管座封装件的容纳开口,其中所述支撑结构具有的高度尺寸和壁厚被构造为当所述管芯垫盘受到来自所述管座封装件的热膨胀或收缩力时使所述MEMS装置处的力最小。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述管芯垫盘包括从由Invar、Kovar、玻璃、硅和陶瓷组成的群组中选出的材料。
13.根据权利要求11所述的方法,其中,所述管芯垫盘包括管路,所述管路从所述管芯垫盘的底表面延伸到顶表面,以界定了所述顶表面中的第一开口,所述第一开口被构造为与所述MEMS装置的相应开口连通,并且其中,所述第一开口的直径小于所述MEMS装置的所述相应开口。
14.根据权利要求11所述的方法,其中所述管芯垫盘被构造为容纳所述MEMS装置和至少一个其他装置。
15.根据权利要求1所述的传感器装置封装件,其中所述管芯垫盘包括基底和支撑结构,所述支撑结构具有第三CTE,所述第三CTE与所述第一CTE和所述第二CTE相符。
16.根据权利要求1所述的传感器装置封装件,其中所述支撑结构从所述基底突伸。
17.根据权利要求1所述的传感器装置封装件,其中所述管芯垫盘包括穿过其延伸的第二管路,所述第二管路与所述第一管路连通,并且其中,所述第二管路在所述基底中的直径大于在所述支撑结构中的直径。
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