[发明专利]含硅膜的蚀刻方法以及装置

权利要求书

1.一种含硅膜的蚀刻方法，是对基底膜上层叠了含硅膜的被处理物进行蚀刻的方法，其特征在于，

使含有氟系反应成分的处理气体与所述被处理物接触，

使所述处理气体在被处理物上的流速根据蚀刻的进行而发生变化。

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，

随着蚀刻的进行，增大所述流速。

3.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，

随着蚀刻的进行，阶段性地增大所述流速。

4.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，

使对所述含硅膜的要蚀刻的部分中的大部分进行蚀刻的期间内的所述流速相对较小，以下将“对所述含硅膜的要蚀刻的部分中的大部分进行蚀刻的期间”称为第1蚀刻工序，

使对所述含硅膜的要蚀刻的部分中在所述第1蚀刻工序后残留的部分进行蚀刻的期间内的所述流速相对较大，以下将“对所述含硅膜的要蚀刻的部分中在所述第1蚀刻工序后残留的部分进行蚀刻的期间”称为第2蚀刻工序。

5.根据权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于，

在所述第1蚀刻工序中阶段性地增大所述流速，并使所述第2蚀刻工序中的所述流速大于所述第1蚀刻工序的最后阶段的流速。

6.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，

通过使所述处理气体的流量变化，使所述流速变化。

7.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述氟系反应成分是使含有氟系原料且添加了H₂O或含OH基的化合物的氟系原料气体通过大气压附近的等离子体空间而生成的，

在所述等离子体空间的上游侧，在所述氟系原料气体中混合流速调节用气体或者停止混合，根据该流速调节用气体的流量调节所述流速。

8.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述氟系反应成分是使含有氟系原料且添加了H₂O或含OH基的化合物的氟系原料气体通过大气压附近的等离子体空间而生成的，

在所述等离子体空间的下游侧，在所述处理气体中混合流速调节用气体或者停止混合，根据该流速调节用气体的流量调节所述流速。

9.根据权利要求7或8所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述流速调节用气体为惰性气体。

10.根据权利要求6所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述处理气体含有氧化性反应气体，

通过使所述氧化性反应气体的流量变化，使所述处理气体的流量变化，进而使所述流速变化。

11.根据权利要求8所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述流速调节用气体为氧化性反应气体。

12.一种含硅膜的蚀刻装置，是对基底膜上层叠了含硅膜的被处理物进行蚀刻的装置，其特征在于，具有：

将含有氟系反应成分的处理气体供给于所述被处理物的处理气体供给体系；和

使所述处理气体在被处理物上的流速根据蚀刻的进行而发生变化的流速调节机构。

13.根据权利要求12所述的蚀刻装置，其特征在于，

所述流速调节机构随着蚀刻的进行而增大所述流速。

14.根据权利要求12所述的蚀刻装置，其特征在于，

所述流速调节机构随着蚀刻的进行而阶段性地增大所述流速。

15.根据权利要求12所述的蚀刻装置，其特征在于，

所述流速调节机构直到在所述含硅膜的要蚀刻的部分中的大部分被蚀刻为止使所述流速相对较小，在蚀刻残留的含硅膜时使所述流速相对较大。

16.根据权利要求12所述的蚀刻装置，其特征在于，

所述流速调节机构调节所述处理气体的流量。