[发明专利]磁阻元件及其制造方法、用于该制造方法的存储介质

权利要求书

1.一种磁阻元件，其特征在于，具有：

衬底；

位于所述衬底侧的结晶性第一强磁性材料层；

位于所述结晶性第一强磁性材料层上的、具有含B原子和Mg原子的金属氧化物的晶体结构的隧道阻碍层；以及

位于所述隧道阻碍层上的结晶性第二强磁性材料层。

2.根据权利要求1所述的磁阻元件，其特征在于，在所述隧道阻碍层中，B原子在所述金属氧化物中的含量为30原子％以下。

3.根据权利要求1所述的磁阻元件，其特征在于，所述隧道阻碍层还构成为如下的层叠膜：具有含B原子和Mg原子的合金层或者由Mg原子构成的金属层，在该合金层或者金属层的两侧具有含B原子和Mg原子的金属氧化物的结晶层。

4.根据权利要求1所述的磁阻元件，其特征在于，在所述结晶性第一强磁性材料层与所述隧道阻碍层之间具有由Mg原子构成的金属层或含Mg原子的合金层。

5.根据权利要求4所述的磁阻元件，其特征在于，所述含Mg原子的合金层是含Mg原子和B原子的合金层。

6.根据权利要求1所述的磁阻元件，其特征在于，在所述结晶性第二强磁性材料层与所述隧道阻碍层之间具有由Mg原子构成的金属层或者含Mg原子的合金层。

7.根据权利要求6所述的磁阻元件，其特征在于，所述合金层是含Mg原子和B原子的合金层。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的磁阻元件，其特征在于，所述第一强磁性材料层、所述隧道阻碍层、所述第二强磁性材料层分别具有由柱状晶的集合体形成的多晶结构。

9.一种磁阻元件的制造方法，其特征在于，具有如下步骤：

第一步骤，使用溅射法形成无定形结构的第一强磁性材料层的膜；

第二步骤，使用溅射法在所述第一强磁性材料层上形成含B原子和Mg原子的金属氧化物的结晶层的膜；

第三步骤，使用溅射法，在所述金属氧化物的结晶层上形成无定形结构的第二强磁性材料层的膜；以及

第四步骤，将所述第一强磁性材料层和所述第二强磁性材料层的无定形结构转换为晶体结构。

10.根据权利要求9所述的磁阻元件的制造方法，其特征在于，所述第四步骤是退火步骤。

11.根据权利要求10所述的磁阻元件的制造方法，其特征在于，所述第二步骤是如下步骤：通过使用由含B原子和Mg原子的金属氧化物构成的靶进行溅射，来形成含B原子和Mg原子的金属氧化物的结晶层的膜。

12.根据权利要求11所述的磁阻元件的制造方法，其特征在于，所述第二步骤是如下步骤：通过使用由含B原子和Mg原子的合金构成的靶和氧化性气体进行反应性溅射，来形成含B原子和Mg原子的金属氧化物的结晶层的膜。

13.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储了使用如下步骤来制造磁阻元件的控制程序，所述步骤包括：

第一溅射步骤，形成无定形结构的第一强磁性材料层的膜；

第二溅射步骤，在所述第一强磁性材料层上形成含B原子和Mg原子的金属氧化物的结晶层的膜；

第三溅射步骤，在所述金属氧化物的结晶层上形成无定形结构的第二强磁性材料层的膜；以及

结晶步骤，将所述第一强磁性材料层和所述第二强磁性材料层的无定形结构转换为晶体结构。

14.根据权利要求13所述的存储介质，其特征在于，所述结晶步骤是退火步骤。

15.根据权利要求13所述的存储介质，其特征在于，所述第二溅射步骤是使用了由含B原子和Mg原子的金属氧化物构成的靶的溅射步骤。

16.根据权利要求13所述的存储介质，其特征在于，所述第二溅射步骤是使用了由含B原子和Mg原子的合金构成的靶和氧化性气体的反应性溅射步骤。