[发明专利]等离子体处理装置、等离子体处理方法、等离子体处理装置的清洁方法和等离子体处理装置用压力调整阀无效
申请号: | 200980132951.1 | 申请日: | 2009-08-27 |
公开(公告)号: | CN102132387A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 野沢俊久;河本慎二;岩崎征英 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;C23C16/44;H01L21/205;H01L21/304 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;舒艳君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 方法 清洁 压力 调整 | ||
1.一种等离子体处理装置用压力调整阀,在对被处理基板进行等离子体处理的等离子体处理装置中设置,该等离子体处理装置具有:保持台,在其上保持上述被处理基板;处理容器,其容置上述保持台并在位于上述保持台的下方侧的区域设有用于减压的排气孔;排气路,该排气路的至少一部分在相对于排气方向正交的断面上具有长尺寸方向的区域和与上述长尺寸方向正交的短尺寸方向的区域,并且该排气路具有从上述排气孔向下方侧延伸的部分;泵,其与上述排气路的排气方向的下游侧连接而对上述处理容器内减压;关闭阀,其对上述排气路进行开闭,
该等离子体处理装置用压力调整阀特征在于,
被设置在上述关闭阀的排气方向的上游侧的上述排气路上,
包含具有长尺寸方向的区域和与上述长尺寸方向正交的短尺寸方向的区域的压力调整用阀板,
被安装在上述排气路的一部分上,以上述等离子体处理装置用压力调整阀为基准对上述等离子体处理装置用压力调整阀的排气方向的上游侧和下游侧的压力进行调整。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置用压力调整阀,其特征在于,
上述排气路包含:从上述排气孔向下方侧延伸的第一排气路;与上述第一排气路的排气方向的下游侧连接,在与上述第一排气路不同的方向上延伸,在相对于排气方向正交的断面上是宽度方向比上下方向长的横长断面形状的第二排气路;与上述第二排气路的排气方向的下游侧连接,在与上述第二排气路不同的方向上延伸的第三排气路,
上述等离子体处理装置用压力调整阀被设置在上述第二排气路。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置用压力调整阀,其特征在于,
上述关闭阀被设置在上述第三排气路。
4.根据权利要求2所述的等离子体处理装置用压力调整阀,其特征在于,
在相对于排气方向正交的断面上,上述第二排气路的断面为矩形状,
上述压力调整用阀板的轮廓形状为能够封闭上述第二排气路的矩形状。
5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置用压力调整阀,其特征在于,
上述压力调整用阀板,以在长尺寸方向上延伸的轴为旋转中心轴旋转。
6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置用压力调整阀,其特征在于,
上述压力调整用阀板具有双支撑构造。
7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置用压力调整阀,其特征在于,
上述等离子体处理装置用压力调整阀,可装卸地设置在上述排气路上。
8.一种等离子体处理装置,对被处理基板进行等离子体处理,其特征在于,具有:
保持台,在其上保持上述被处理基板;
处理容器,其容置上述保持台,并在位于上述保持台的下方侧的区域上设有用于减压的排气孔;
第一排气路,其从上述排气孔向下方侧延伸;
第二排气路,其与上述第一排气路的排气方向的下游侧连接,在与上述第一排气路不同的方向上延伸,在相对于排气方向正交的断面上是宽度方向比上下方向长的横长断面形状;
第三排气路,其与上述第二排气路的排气方向的下游侧连接,在与上述第二排气路不同的方向上延伸;
泵,其与上述第三排气路的排气方向的下游侧连接而对上述处理容器内减压;
压力调整阀,其设置在上述第二排气路内,具有能够封闭上述第二排气路且对排气方向的上游侧和下游侧的压力进行调整的压力调整用阀板;
关闭阀,其设置在上述第三排气路内,具有进行上述第三排气路的开闭的关闭阀板。
9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置,其特征在于,
在相对于排气方向正交的断面上,上述第二排气路的断面为矩形状,
上述压力调整用阀板的轮廓形状为能够封闭上述第二排气路的矩形状。
10.根据权利要求8所述的等离子体处理装置,其特征在于,
上述压力调整用阀板以在长尺寸方向上延伸的轴为旋转中心轴旋转。
11.根据权利要求8所述的等离子体处理装置,其特征在于,
上述关闭阀包含位于上述关闭阀板和构成上述第三排气路的壁之间的环状的密封部件,
在上述密封部件的外侧设有保护上述密封部件的保护部件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造