[发明专利]发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

第二电极层；

所述第二电极层上的第三导电半导体层，所述第三导电半导体层包括肖特基接触区域和欧姆接触区域；

所述第三导电半导体层上的第二导电半导体层；

所述第二导电半导体层上的有源层；

所述有源层上的第一导电半导体层；以及

所述第一导电半导体层上的第一电极层。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中：

所述第一导电半导体层是n型半导体层，

所述第二导电半导体层是p型半导体层，并且

所述第三导电半导体层是n型半导体层或未掺杂半导体层。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中：

所述肖特基接触区域被形成在所述第三导电半导体层的中心部分处，并且

所述欧姆接触区域被形成在所述肖特基接触区域的外围处。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，进一步地，所述肖特基接触区域被形成在所述第三导电半导体层的外围部分处。

5.根据权利要求1所述的发光器件，所述第一电极层的至少一部分在垂直方向中与所述肖特基接触区域的至少一个重叠。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中：

所述欧姆接触区域下面的所述第二电极层具有第一厚度，并且

所述肖特基接触区域的所述第二电极层具有比所述第一厚度薄的第二厚度。

7.一种发光器件，包括：

第二电极层；

所述第二电极层上的第三导电半导体层，所述第三导电半导体层包括具有第三厚度的第三区域和具有比所述第三厚度薄的第四厚度的第四区域；

所述第三导电半导体层上的第二导电半导体层；

所述第二导电半导体层上的有源层；

所述有源层上的第一导电半导体层；以及

所述第一导电半导体层上的第一电极层，

其中，所述第一电极层的至少一部分在垂直方向中与所述第三区域重叠。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述第二电极层包括：

第一区域，所述第一区域具有第一厚度，被布置在所述第一区域的至少一部分在垂直方向中与所述第四区域重叠的区域处；和

第二区域，所述第二区域具有比所述第一厚度薄的第二厚度，被布置在所述第二区域的至少一部分在垂直方向中与所述第三区域重叠的区域处。

9.根据权利要求7所述的发光器件，其中：

所述第一导电半导体层是n型半导体层，

所述第二导电半导体层是p型半导体层，并且

所述第三导电半导体层是n型半导体层或未掺杂半导体层。

10.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述第三区域的至少一部分被布置在所述第三导电半导体层的中心部分处。

11.一种发光器件，包括：

第二电极层；

所述第二电极层上的第三导电半导体层，所述第三导电半导体层包括具有第三厚度并且被布置在外围部分处的第三区域；和具有比所述第三厚度薄的第四厚度的第四区域；

所述第三导电半导体层上的第二导电半导体层；

所述第二导电半导体层上的有源层；

所述有源层上的第一导电半导体层；以及

所述第一导电半导体层上的第一电极层。

12.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述第三区域包括另一第三区域，所述另一第三区域被布置在与所述第三导电半导体层的外围部分分离的位置处。

13.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述第一电极层的至少一部分在垂直方向中与所述第三区域重叠。

14.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述第二电极层包括：

第一区域，所述第一区域具有第一厚度，被布置在所述第一区域的至少一部分在垂直方向中与所述第四区域重叠的区域处；和

第二区域，所述第二区域具有比所述第一厚度薄的第二厚度，被布置在所述第二区域的至少一部分在垂直方向中与所述第三区域重叠的区域处。

15.根据权利要求11所述的发光器件，其中：

所述第一导电半导体层是n型半导体层，

所述第二导电半导体层是p型半导体层，并且

所述第三导电半导体层是n型半导体层或未掺杂半导体层。