[发明专利]光电转换装置的制法、光电转换装置及其制造系统

权利要求书

1.一种光电转换装置的制造方法，其特征在于，

在减压气氛内连续形成构成第一光电转换单元的第一p型半导体层、第一i 型半导体层和第一n型半导体层以及由结晶质的硅系薄膜形成的、构成第二光电转换单元的第二p型半导体层，

将所述第二p型半导体层暴露在大气气氛中，

将构成所述第二光电转换单元的第二i型半导体层和第二n型半导体层形成在暴露在所述大气气氛中的所述第二p型半导体层上。

2.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，

在形成所述第二i型半导体层之前，将暴露在大气气氛中的所述第二p型半导体层暴露在包含氢自由基的等离子体中。

3.根据权利要求2所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，

在将所述第二p型半导体层暴露在包含所述氢自由基的所述等离子体中时，使用氢气。

4.根据权利要求1至3中任何一项所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，

形成结晶质的硅系薄膜作为所述第一n型半导体层。

5.一种光电转换装置，其特征在于，

通过权利要求1至4中任何一项所述的光电转换装置的制造方法形成。

6.一种光电转换装置的制造系统，其特征在于，包括：

第一成膜装置，分别形成构成第一光电转换单元的第一p型半导体层、第一i型半导体层和第一n型半导体层以及由结晶质的硅系薄膜形成的、构成第二光电转换单元的第二p型半导体层，包括以维持减压气氛的方式连接的多个等离子体CVD反应室；

搬出装置，将形成有所述第二p型半导体层的所述基板搬出到大气气氛中；和

第二成膜装置，容纳搬出到所述大气气氛中的所述基板，包括在减压气氛中形成构成所述第二光电转换单元的第二i型半导体层和第二n型半导体层的等离子体CVD反应室。

7.根据权利要求6所述的光电转换装置的制造系统，其特征在于，

所述第二成膜装置在形成所述第二i型半导体层之前，将暴露在所述大气气氛中的所述第二p型半导体层暴露在包含氢自由基的等离子体中。

8.根据权利要求7所述的光电转换装置的制造系统，其特征在于，

所述第二成膜装置具有导入氢气的气体导入部，

使用由所述气体导入部导入的所述氢气，将所述第二p型半导体层暴露在包含所述氢自由基的所述等离子体中。

9.根据权利要求7所述的光电转换装置的制造系统，其特征在于，

在形成所述第二i型半导体层和所述第二n型半导体层的所述等离子体CVD反应室内，将所述第二p型半导体层暴露在包含所述氢自由基的所述等离子体中。

10.根据权利要求6至8中任何一项所述的光电转换装置的制造系统，其特征在于，

所述第一成膜装置形成结晶质的硅系薄膜作为所述第一n型半导体层。