[发明专利]双极型半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种在半导体元件的表面上具有表面保护膜的双极型半导体装置，其特征在于：

所述表面保护膜具有积层结构，该积层结构由在所述半导体元件的所述表面上形成的热氧化膜，及形成于所述热氧化膜上的堆积氧化膜所构成，

所述堆积氧化膜所含的氢元素和氮元素中，至少有一种的含量在10¹⁸cm^-3以上。

2.根据权利要求1所述的双极型半导体装置，其特征在于：

其中，所述堆积氧化膜的膜厚在150nm以上。

3.根据权利要求1所述的双极型半导体装置，其特征在于：

其中，所述半导体元件是碳化硅半导体元件，具有在碳化硅半导体结晶的一面上形成的n型低阻抗层的集电极区域、在所述碳化硅半导体结晶的另一面上形成的n型低阻抗层的发射极区域、在所述发射极区域周围形成的p型基极接触区域、以及在所述发射极区域与所述集电极区域之间的基极区域及n型高阻抗层，

所述表面保护膜形成在所述基极区域与所述发射极区域之间的所述碳化硅半导体元件的表面上。

4.根据权利要求1所述的双极型半导体装置，其特征在于：

其中，所述半导体元件是碳化硅半导体元件，具有在碳化硅半导体结晶的一面上形成的n型低阻抗层的漏极区域、在所述碳化硅半导体结晶的另一面上形成的n型低阻抗层的源极区域、在所述源极区域的周围形成的p型的门极区域、以及在所述源极区域与所述漏极区域之间的n型高阻抗层，

所述表面保护膜形成在所述门极区域与所述源极区域之间的所述碳化硅半导体元件的表面上。

5.根据权利要求1所述的双极型半导体装置，其特征在于：

其中，所述半导体元件是碳化硅半导体元件，具有在碳化硅半导体结晶的一面上形成的n型低阻抗层的负极区域、在所述碳化硅半导体结晶的另一面上形成的p型阻抗层的正极区域，

在所述正极区域上形成正极的同时，所述表面保护膜被形成在除所述正极以外的所述碳化硅半导体元件的表面上。

6.根据权利要求3所述的双极型半导体装置，其特征在于：

其中，所述高阻抗层内设有与所述基极接触区域相连接的p型的沟道掺杂层。

7.一种在半导体元件的表面上具有表面保护膜的双极型半导体装置，其特征在于：

所述表面保护膜具有积层结构，该积层结构由在所述半导体元件的所述表面上形成的热氧化膜、在所述热氧化膜上形成的堆积氧化膜以及在所述堆积氧化膜上形成的堆积氮化膜构成，

所述堆积氧化膜所含的氢元素和氮元素中，至少有一种的含量在10¹⁹cm^-3以上。

8.根据权利要求7所述的双极型半导体装置，其特征在于：

其中，所述堆积氧化膜的膜厚在150nm以上。

9.根据权利要求7所述的双极型半导体装置，其特征在于：

其中，所述半导体元件是碳化硅半导体元件，具有在碳化硅半导体结晶的一面上形成的n型低阻抗层的集电极区域、在所述碳化硅半导体结晶的另一面上形成的n型低阻抗层的发射极区域、在所述发射极区域周围形成的p型基极接触区域、以及在所述发射极区域与所述集电极区域之间的基极区域及n型高阻抗层，

所述表面保护膜形成在所述基极区域与所述发射极区域之间的所述碳化硅半导体元件的表面上。

10.根据权利要求7所述的双极型半导体装置，其特征在于：

其中，所述半导体元件是碳化硅半导体元件，具有在碳化硅半导体结晶的一面上形成的n型低阻抗层的漏极区域、在所述碳化硅半导体结晶的另一面上形成的n型低阻抗层的源极区域、在所述源极区域周围形成的p型的门极区域、以及在所述源极区域与所述漏极区域之间的n型高阻抗层，

所述表面保护膜形成在所述门极区域与所述源极区域之间的所述碳化硅半导体元件的表面上。

11.根据权利要求7所述的双极型半导体装置，其特征在于：

其中，所述半导体元件是碳化硅半导体元件，具有在碳化硅半导体结晶的一面上形成的n型低阻抗层的负极区域、以及在所述碳化硅半导体结晶的另一面上形成的p型阻抗层的正极区域，

在所述正极区域上形成正极的同时，所述表面保护膜被形成在除所述正极以外的所述碳化硅半导体元件的表面上。