[发明专利]借助蚀刻的薄层太阳能电池组件的边缘去除

权利要求书

1.太阳能电池的湿化学边缘去除的方法，特征在于，将蚀刻膏局部施涂于衬底表面的边缘上，并且在进行了反应之后除去膏残渣，以及任选地以合适方式清洁并且干燥衬底表面。

2.根据权利要求1的方法，特征在于，为了蚀刻步骤将蚀刻膏以宽度约1-2厘米施涂于衬底表面的边缘上。

3.根据权利要求1的方法，特征在于，在一个蚀刻步骤中以一步蚀刻由掺杂和未掺杂的半导体层如硅、a-Si-和μ-Si-(p-i-n和n-i-p)层、Ge和其合金，或由GaAs及其三元和四元混合物，或者由III-IV-和II-IV-半导体构成的层，

和由金属或金属合金如Al、Ag、Cu、Ni、Cr、Mo、Ta、Ti、V、W、Zn、Ti_xW_y、Ni_xV_y、Ta_xN_y、Ti_xN_y构成的层，和/或由氧化物或混合氧化物如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟(IO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌(ZO)或类似氧化物构成的层。

4.根据权利要求1-3的一项或多项的方法，特征在于，蚀刻在30-100℃范围内的温度下进行。

5.根据权利要求1-4的一项或多项的方法，特征在于，在蚀刻步骤后通过清洗或吹掉和在100-150℃范围内的升高的温度下干燥而除去膏残渣。

6.稳定的膏组合物，其以7∶1∶1.5-10∶1∶3.5范围内的比例包含85％的H₃PO₄、NH₄HF₂和65％的HNO₃，以重量计。

7.根据权利要求6的组合物，其以7.5∶1∶1.8-9∶1∶3的范围内的比例包含85％的H₃PO₄、NH₄HF₂和65％的HNO₃。

8.根据权利要求6或权利要求7的组合物，其包含聚乙烯吡咯烷酮和聚烯烃颗粒作为增稠剂。

9.根据权利要求6-8的一项或多项的组合物，其包含聚乙烯吡咯烷酮、聚烯烃颗粒和氨基官能化的聚丙烯酸。

10.根据权利要求6-8的一项或多项的膏组合物用于“太阳能电池组件”边缘去除的应用。

11.根据权利要求6-8的一项或多项的膏组合物用于蚀刻以下层的应用：由掺杂和未掺杂的半导体层如硅、a-Si-和μ-Si-(p-i-n和n-i-p)层、Ge和其合金，或由GaAs及其三元和四元混合物，或者由II-IV-和II-VI-半导体构成的层，

和由金属或金属合金如Al、Ag、Cu、Ni、Cr、Mo、Ta、Ti、V、W、Zn、Ti_xW_y、Ni_xV_y、Ta_xN_y、Ti_xN_y构成的层，和/或由氧化物或混合氧化物如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟(IO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌(ZO)或类似氧化物构成的层。