[发明专利]用于牙膏的牙小管封闭二氧化硅材料有效

专利信息
申请号: 200980133445.4 申请日: 2009-08-13
公开(公告)号: CN102131490A 公开(公告)日: 2011-07-20
发明(设计)人: 小威廉·亨利·皮特考克;卡尔·W·加里斯;约翰·V·奥菲达尼;迈克尔·S·达尔西罗 申请(专利权)人: J.M.休伯有限公司
主分类号: A61K8/19 分类号: A61K8/19;A61K8/25;A61K8/26;A61K8/27;A61Q11/00
代理公司: 北京市德恒律师事务所 11306 代理人: 陆鑫;高雪琴
地址: 美国佐*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 牙膏 牙小管 封闭 二氧化硅 材料
【权利要求书】:

1.一种沉淀二氧化硅材料,所述沉淀二氧化硅材料的平均粒径1至5微米且在其至少一部分表面上存在加合物而形成加合物处理的沉淀二氧化硅材料,其中,相比于其上不存在加合物的相同结构的沉淀二氧化硅材料时,所述加合物处理的沉淀二氧化硅材料表现出ζ电势降低超过10%。

2.根据权利要求1所述的沉淀二氧化硅材料,其中所述加合物是金属元素。

3.根据权利要求2所述的沉淀二氧化硅材料,其中所述金属元素选自过渡金属或后过渡金属。

4.根据权利要求3所述的沉淀二氧化硅材料,其中所述金属元素选自由铝,锌,锡,锶,铁,铜及其混合物组成的组。

5.根据权利要求1所述的沉淀二氧化硅材料,其中,相比于其上不存在加合物的相同结构的沉淀二氧化硅材料,所述加合物处理的沉淀二氧化硅材料表现出ζ电势下降超过15%。

6.根据权利要求1所述的沉淀二氧化硅材料,其中,相比于其上不存在加合物的相同结构的沉淀二氧化硅材料,所述加合物处理的沉淀二氧化硅材料表现出ζ电势下降超过20%。

7.根据权利要求1所述的沉淀二氧化硅材料,其中,相比于其上不存在加合物的相同结构的沉淀二氧化硅材料,所述加合物处理的沉淀二氧化硅材料表现出ζ电势下降超过25%。

8.一种牙膏,含有根据权利要求1所述的加合物处理的沉淀二氧化硅材料和至少一种其它组分,所述组分选自由至少一种除了所述加合物处理的沉淀二氧化硅材料之外的磨料,至少一种除了所述加合物处理的沉淀二氧化硅材料之外的增稠剂,至少一种溶剂,至少一种防腐剂和至少一种表面活性剂组成的组,其中所述加合物处理的沉淀二氧化硅材料作为摩擦剂,增稠剂或同时作为摩擦剂和增稠剂存在于所述牙膏之中。

9.一种牙膏,含有根据权利要求5所述的加合物处理的沉淀二氧化硅材料和至少一种其它组分,所述组分选自由至少一种除了所述加合物处理的沉淀二氧化硅材料之外的磨料,至少一种除了所述加合物处理的沉淀二氧化硅材料之外的增稠剂,至少一种溶剂,至少一种防腐剂和至少一种表面活性剂组成的组,其中所述加合物处理的沉淀二氧化硅材料作为摩擦剂,增稠剂或同时作为摩擦剂和增稠剂存在于所述牙膏之中。

10.一种牙膏,含有根据权利要求6所述的加合物处理的沉淀二氧化硅材料和至少一种其它组分,所述组分选自由至少一种除了所述加合物处理的沉淀二氧化硅材料之外的磨料,至少一种除了所述加合物处理的沉淀二氧化硅材料之外的增稠剂,至少一种溶剂,至少一种防腐剂和至少一种表面活性剂组成的组,其中所述加合物处理的沉淀二氧化硅材料作为摩擦剂,增稠剂或同时作为摩擦剂和增稠剂存在于所述牙膏之中。

11.一种牙膏,含有根据权利要求7所述的加合物处理的沉淀二氧化硅材料和至少一种其它组分,所述组分选自由至少一种除了所述加合物处理的沉淀二氧化硅材料之外的磨料,至少一种除了所述加合物处理的沉淀二氧化硅材料之外的增稠剂,至少一种溶剂,至少一种防腐剂和至少一种表面活性剂组成的组,其中所述加合物处理的沉淀二氧化硅材料作为摩擦剂,增稠剂或同时作为摩擦剂和增稠剂存在于所述牙膏之中。

12.一种处理哺乳动物牙齿的方法,包括以下步骤:

a)提供一种含有沉淀二氧化硅材料的牙膏,所述沉淀二氧化硅材料包含一种平均粒径1至5微米并在其至少一部分表面上存在加合物以形成加合物处理的沉淀二氧化硅材料,相比于其上不存在加合物的相同结构的沉淀二氧化硅材料,所述沉淀二氧化硅材料表现出ζ电势下降超过10%;

b)将所述牙膏应用于哺乳动物牙齿;和

c)涂刷步骤“b”所述应用了牙膏的牙齿。

13.根据权利要求12所述的方法,其中步骤“a”的所述牙膏进一步包含至少一种其它组分,所述组分选自由至少一种除了所述加合物处理的沉淀二氧化硅材料之外的磨料,至少一种除了所述加合物处理的沉淀二氧化硅材料之外的增稠剂,至少一种溶剂,至少一种防腐剂和至少一种表面活性剂组成的组,其中所述加合物处理的沉淀二氧化硅材料作为摩擦剂,增稠剂或同时作为摩擦剂和增稠剂存在于所述牙膏之中。

14.根据权利要求12所述的方法,其中,相比于其上不存在加合物的相同结构的沉淀二氧化硅材料,步骤“a”的所述加合物处理的沉淀二氧化硅材料表现出ζ电势下降超过15%。

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