[发明专利]图案形成体和用于制造图案形成体的方法无效
申请号: | 200980133487.8 | 申请日: | 2009-06-03 |
公开(公告)号: | CN102132174A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 宇佐美由久 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | G02B1/11 | 分类号: | G02B1/11;G03F7/20;H01L33/00;B23K26/00;B23K26/36 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图案 形成 用于 制造 方法 | ||
1.一种图案形成体,所述图案形成体具有上面形成了点状图案的表面,所述图案形成体包括:
基板;
光致抗蚀剂层,所述光致抗蚀剂层设置在所述基板上并且当用电磁束照射并因此被加热时发生形状变化;和
多个形成于所述光致抗蚀剂层上的凹坑,
其中所述多个凹坑沿多个基本上彼此平行的轨道并列地排列,并且当在所述多个轨道延伸的方向上观看,一个轨道上的每个凹坑位于与排列在相邻轨道上的两个相邻凹坑之间的中点对应的位置。
2.根据权利要求1所述的图案形成体,其中所述多个轨道基本上沿多个同心圆排列。
3.根据权利要求1所述的图案形成体,其中相邻凹坑之间的平均距离在1-10000nm的范围内。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的图案形成体,其中如果1个凹坑和与所述1个凹坑最接近的其它6个凹坑之间的平均距离为P,则在所述1个凹坑和与所述1个凹坑相邻的所述其它6个凹坑中每一个凹坑之间的距离在0.9P-1.2P的范围内。
5.根据权利要求2所述的图案形成体,其中所述多个轨道形成单个螺旋轨道,并且所述多个凹坑沿着所述螺旋轨道并列地排列。
6.根据权利要求2所述的图案形成体,其中沿着所述多个轨道排列的所述多个凹坑在多个具有不同直径的圆上并列地排列。
7.一种用于制造上面形成了点状图案的图案形成体的方法,所述方法包括以下步骤:
制备包括光致抗蚀剂层的基板,所述光致抗蚀剂层在用电磁束照射并因此被加热时发生形状变化;
沿基本上彼此平行的多个扫描路径用电磁束扫描所述基板,同时以预定的间隔改变所述电磁束的输出,以使多个点状凹坑沿多个轨道并列地排列;和
当在所述多个轨道延伸的方向上观看,所述电磁束到达与排列在已经形成了多个凹坑的轨道上的两个相邻凹坑之间的中点对应的位置时,增加所述电磁束的输出,以在与所述轨道相邻的下一个轨道上形成凹坑。
8.根据权利要求7所述的用于制造图案形成体的方法,其中所述扫描步骤包括,在用所述电磁束曝光所述光致抗蚀剂层的过程中,旋转所述基板并且移动光束源,用于在朝向和远离所述基板的旋转中心的方向上产生所述电磁束,以便将所述扫描路径限定为多个基本上同心的圆。
9.根据权利要求8所述的用于制造图案形成体的方法,其中所述输出增加步骤包括在所述基板朝向预定方向时产生同步信号,并且其中使基于所述同步信号通过改变所述电磁束的输出而将电磁束发射到轨道上的时序,相对于发射到相邻轨道上的时序错开半个周期。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的制造图案形成体的方法,所述方法还包括,在所述光致抗蚀剂层上形成所述多个凹坑后,使用所述光致抗蚀剂层作为掩模进行蚀刻。
11.根据权利要求7至9中任一项所述的制造图案形成体的方法,所述方法还包括以下步骤:
在所述光致抗蚀剂层上形成所述多个凹坑后,在通过所述多个凹坑而露出所述基板的位置处的基板上形成膜;和
去除所述光致抗蚀剂层。
12.根据权利要求7所述的制造图案形成体的方法,其中相邻凹坑之间的平均距离在1-10000nm的范围内。
13.根据权利要求7所述的制造图案形成体的方法,其中形成所述凹坑使得:如果在1个凹坑和与所述1个凹坑最接近的其它6个凹坑之间的平均距离为P,则在所述1个凹坑和与所述1个凹坑相邻的所述其它6个凹坑中的每一个之间的距离在0.9P-1.2P的范围内。
14.根据权利要求8所述的制造图案形成体的方法,其中所述扫描步骤包括沿着由所述多个轨道形成的单个螺旋轨道用所述电磁束扫描所述基板,以使所述多个凹坑沿着所述螺旋轨道并列地排列。
15.根据权利要求8所述的制造图案形成体的方法,其中所述扫描步骤包括沿着多个具有不同直径的圆用所述电磁束扫描所述基板,以使所述多个凹坑在所述多个圆上并列地排列。
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