[发明专利]包括波长转换半导体发光器件和滤光器的光源

权利要求书

1. 一种结构，包括：

半导体发光器件34，包括布置在n型区域和p型区域之间的发光层，其中该发光层适合于发射具有第一峰值波长的第一种光；

第一波长转换材料38，适合于吸收该第一种光并发射具有第二峰值波长的第二种光；

第二波长转换材料36，适合于吸收该第一种光和第二种光之一并发射具有第三峰值波长的第三种光；

其中该第一和第二波长转换材料布置在由该半导体发光器件发射的光的路径中；以及

滤光器40，适合于反射具有第四峰值波长的第四种光并透射峰值波长比该第四峰值波长更长或更短的光，其中该第四种光包括该第二种光的一部分和该第三种光的一部分之一，其中该滤光器布置在该第一、第二和第三种光的至少一部分的路径中。

2. 权利要求1的结构，其中：

该第一波长转换材料38布置在陶瓷层中；以及

该第二波长转换材料36为布置在透明材料层中的粉末。

3. 权利要求1的结构，其中该第一波长转换材料38和该第二波长转换材料36为粉末，所述粉末被混合且布置在布置于该半导体发光器件34之上的透明材料中。

4. 权利要求1的结构，其中：

该第一波长转换材料38和该第二波长转换材料36至少之一布置在该半导体发光器件34上，以及

该滤光器40直接接触该第一和第二波长转换材料之一。

5. 权利要求1的结构，其中该滤光器40为分布式布拉格反射器。

6. 权利要求1的结构，其中该滤光器40的表面是在该半导体发光器件34的表面的500μm之内。

7. 权利要求1的结构，其中该滤光器40包括电介质层的叠层。

8. 权利要求1的结构，其中该滤光器40为第一滤光器，该结构进一步包括第二滤光层26，该第二滤光层包括：

多个第一像素位置，其中在每个第一像素位置，该第二滤光器适合于透射红色光并吸收绿色和蓝色光；

多个第二像素位置，其中在每个第二像素位置，该第二滤光器适合于透射绿色光并吸收红色和蓝色光；以及

多个第三像素位置，其中在每个第三像素位置，该第二滤光器适合于透射蓝色光并吸收红色和绿色光。

9. 权利要求1的结构，其中该滤光器40布置在透镜上。

10. 权利要求1的结构，其中该第一波长转换材料38和该第二波长转换材料36至少之一与该半导体发光器件34隔开。

11. 权利要求1的结构，其中该第四峰值波长位于该第一峰值波长和该第二峰值波长之间。

12. 权利要求1的结构，其中该第四峰值波长位于该第二峰值波长和该第三峰值波长之间。

13. 一种结构，包括：

至少一个光源20，包括半导体发光器件；

第一滤光层26，布置在该至少一个光源之上，其中该第一滤光层包括：

多个第一像素位置，其中在每个第一像素位置，该第一滤光器适合于透射第一峰值波长处的光并吸收第二和第三峰值波长处的光；

多个第二像素位置，其中在每个第二像素位置，该第一滤光器适合于透射该第二峰值波长处的光并吸收该第一和第三峰值波长处的光；以及

多个第三像素位置，其中在每个第三像素位置，该第一滤光器适合于透射该第三峰值波长处的光并吸收该第一和第二峰值波长处的光；

液晶层28，布置在该第一滤光层之上；以及

第二滤光层40，布置在该至少一个光源和该第一滤光层之间，其中该第二滤光层适合于透射该第一、第二和第三峰值波长处的光并反射第四峰值波长处的光。

14. 权利要求13的结构，其中该第一滤光层26适合于吸收该第四峰值波长的光。

15. 权利要求13的结构，其中：

该半导体发光器件配置成发射具有蓝色峰值波长的光；

该光源进一步包括适合于发射具有绿色或黄色峰值波长的光的第一波长转换材料38和适合于发射具有红色峰值波长的光的第二波长转换材料36；以及

该第二滤光层40布置成直接接触第一和第二波长转换材料之一。