[发明专利]EUV光刻设备中污染物质的检测

权利要求书

1.EUV曝光设备(1)，包括：

壳体(1a)，其包围内部(15)，

至少一个反射光学元件(5、6、8、9、10、14.1至14.6)，其布置在所述内部(15)中，

真空产生单元(1b)，用于在所述内部(15)中产生残余气体环境，以及

残余气体分析仪(18a、18b)，用于检测所述残余气体环境中的至少一种污染物质(17a)，

其特征在于

所述残余气体分析仪(18a、18b)具有用于储存所述污染物质(17a)的储存装置(21、21a；31、31a、31b)。

2.如权利要求1所述的EUV光刻设备，其中，所述储存装置(21、31、31a、31b)被设计为聚积所述污染物质(17a)。

3.如权利要求1或2所述的EUV光刻设备，其中，所述储存装置(21a、31、31a、31b)被设计为将所述污染物质从包含在所述残余气体环境中的其它物质隔离。

4.如前述权利要求之一所述的EUV光刻设备，其中，所述残余气体分析仪(18a)具有用于将所述污染物质(17a)离子化的离子化装置(20)，具体地，所述装置包括激光器，并且其中所述储存装置是离子捕获器(21、21a)。

5.如权利要求4所述的EUV光刻设备，其中，所述离子捕获器(21、21a)被设计为检测所述污染物质。

6.如权利要求4或5所述的EUV光刻设备，其中，所述残余气体分析仪(18a)具有滤质器(21a)，其用于将所述污染物质(17a)与所述残余气体环境中的其它物质分离。

7.如权利要求4至6中的任一项所述的EUV光刻设备，其中，所述离子捕获器从以下中选择：傅立叶转换离子回旋谐振捕获器、Penning捕获器、四极离子捕获器、Paul捕获器、线性捕获器、轨道捕获器、EBIT和RF聚束器。

8.如前述权利要求之一所述的EUV光刻设备，其中，所述储存装置(31)具有用于冷却表面(31’)的冷却单元(33)，用于冻结或冷凝所述污染物质(17a)，并优选地具有加热单元(33)，用于后续地将所述污染物质(17a)从所述表面(31’)解吸附。

9.如权利要求8所述的EUV光刻设备，其中，所述冷却单元(33)和/或所述加热单元(33)连接到用于设置所述表面(31’)的温度的控制装置(32)。

10.如前述权利要求之一所述的EUV光刻设备，其中，用于聚积所述污染物质的所述储存装置包括气体结合材料(31a、31b)。

11.如权利要求10所述的EUV光刻设备，还包括泵浦装置(36)用于将所述污染物质泵浦穿过所述气体结合材料(31b)。

12.如权利要求8至11中的任一项所述的EUV光刻设备，还包括辐射装置(35)，尤其是电子枪(35)或激光器(37)，用于从所述气体结合材料(31a)和/或所述可冷却表面(31’)解吸附所述污染物质(17a)。

13.如前述权利要求之一所述的EUV光刻设备，其中，所述储存装置(31、31a、31b)被布置在所述内部(15)外部的泵浦通道(19)中。

14.如前述权利要求之一所述的EUV光刻设备，其中，所述残余气体分析仪(18a、18b)具有可控入口(22)，用于将所述污染物质(17a)向所述储存装置(21)中的脉冲馈送。

15.如前述权利要求之一所述的EUV光刻设备，其中，所述内部(15)中的所述残余气体的总压强超过10^-5mbar，优选地超过10^-4mbar。

16.如前述权利要求之一所述的EUV光刻设备，其中，所述内部(15)中的所述污染物质(17a)的分压小于10^-9mbar，优选地小于10^-12mbar，尤其是小于10^-14mbar。