[发明专利]光学器件及其制造方法无效
申请号: | 200980133815.4 | 申请日: | 2009-10-19 |
公开(公告)号: | CN102138215A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
发明(设计)人: | 佐野光;中野高宏 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0232;H04N5/225;H04N5/335 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈萍 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 器件 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及用于数字摄像机或便携电话等的半导体元件,例如形成有摄像元件、光IC等受光元件、或LED、激光元件等发光元件的光学器件和利用该光学器件的电子设备以及光学器件的制造方法。
背景技术
近年来,在运用于各种电子设备的半导体器件中,半导体器件的小型化、薄型化、轻量化及高密度安装化的要求提高。而且,与基于微细加工技术的进步的半导体元件的高集成化相互作用,提出一种将芯片尺寸封装或裸片的半导体元件直接安装在基板上的所谓芯片安装技术。
例如,在光学器件中,将形成有光学元件的半导体基板表面的受发光面用大小与半导体基板相同程度的透光性基板密封,在半导体基板的背面设置外部端子,从而实现光学器件的小型化和芯片安装性。
作为过去的光学器件的一例,简单说明具备图10所示的贯通电极的固定摄像装置的构成(例如,参照专利文献1)。图10所示的现有的光学器件具备:半导体基板101;设置在该半导体基板101的表面的多个受光元件102;设置在该半导体基板101的表面的上方的微透镜103。半导体基板101通过设置在其外周区域上的粘接剂层105与大小和半导体基板101相同程度的透光性基板104粘接。在半导体基板101,设有从其表面向背面贯通的贯通孔107,在贯通孔107内设有贯通电极106。贯通电极106由导电膜109和导体110构成,导体110其一部分被开口,具有成为外部端子110a的部分。形成在半导体基板101的背面侧的绝缘膜108和导体110的上表面除了外部端子110a被保护层115覆盖,与外部端子110a接触而设有外部电极112。在半导体基板101的表面侧设有电极111及绝缘膜113。
专利文献1:国际公开第2005/022631号
因此,在过去的在半导体基板的受发光面侧具备透光性基板的光学器件中,例如担心重影或光斑的发生等、由透光性基板的外周端面上的反射光引起的噪声的发生。
对此,在过去的固定摄像装置中,通过在透光性基板的外周端面形成斜面,从而防止斜入射光由透光性基板的外周端面反射而到达半导体基板的受光面,减少重影或光斑(例如,参照(日本)特开平1-248673号公报(专利文献2))。但是,在该固体摄像装置中,与受光面平行的透光性基板的上表面的面积通过在外周端面形成斜面而减小该部分。透光性基板的外周端面的斜面与受光面所成的角度越小,对减少由反射光引起的噪声越有效,但是透光性基板的有效区域缩小该部分,所以不利于提高透光性基板的有效区域的占有率。
另一方面,伴随基于微细加工技术的进步的半导体元件的高集成化或芯片安装技术的发展,相对于半导体基板的光学性有效区域的占有率提高,随之,透光性基板的有效区域的占有率提高的要求提高。
例如,大张的半导体基板同样由大张的透光性基板密封,在大张的半导体基板具备光学元件的单位结构体以预定间隔形成有多个时,得到将大张的半导体基板分离为各单位结构体而单片化的光学器件。在该安装体的制造方法中,单片化后的透光性基板的大小被限制为与半导体基板相同程度的大小,所以透光性基板的光学性有效区域被限制,半导体基板的光学元件的形成区域也同样被限制。存在通过透光性基板的光学性的有效区域的制约,半导体基板的小型化或半导体基板上的光学性有效区域的占有率也被限制的忧虑。
近年来,具备如前所述的贯通电极的固体摄像装置或背面照射型的摄像装置(参照(日本)特开2003-31785号公报(专利文献3))等,通过在半导体基板的与受发光面侧相反的另一表面侧设置外部端子,从而期待提高相对于半导体基板的光学性的有效区域的占有率。另外,为了实现进一步的小型化,具备与如上所述的半导体基板相同程度的大小的透光性基板的光学器件对于芯片安装的需要提高,要求提高透光性基板上的有效区域的占有率。
发明内容
在此,本发明鉴于相关的问题,其目的在于,提供一种光学器件,可以防止由透光性基板的外周侧面上的反射光引起的噪声的发生,并且可以提高透光性基板的光学性有效区域的占有率。
为了实现上述目的,本发明的光学器件的特征在于,具备:形成有光学元件的半导体基板;覆盖上述光学元件而设置在上述半导体基板的上方的透光性基板;上述透光性基板在外周端面具有从上表面朝向下表面扩展而倾斜的弯曲面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的