[发明专利]提高光萃取率的倒置型发光二极管结构

权利要求书

1.一种元件，其特征在于，其包括：

一基板，具有一第一表面及一第二表面，该第二表面包含相对于该基板的该第一表面的一弯曲凸面；

一第一层，位于该第一表面上方，该第一层包含一第一导电型材料；

一活化层，位于该第一层上方，当电洞与电子在该活化层中复合时该活化层产生光；及

一第二层，包含一第二导电型材料，该第二层具有位于该活化层上方的一第一表面及相对于该第一表面的一第二表面，该基板被该活化层产生的光透过。

2.如权利要求1所述的元件，其特征在于，该第一层、该第二层与该活化层包含来自氮化镓材料家族的材料。

3.如权利要求1所述的元件，其特征在于，该基板包含蓝宝石。

4.如权利要求1所述的元件，其特征在于，该弯曲凸面的选择使得在该活化层中所产生的光线在最初时由于内反射而自该弯曲凸面反射而随后以小于入射点处的临界角的一角度入射于该弯曲凸面。

5.如权利要求1所述的元件，其特征在于，该弯曲凸面为非球状。

6.如权利要求1所述的元件，其特征在于，该弯曲凸面大致上为抛物面。

7.一种发光元件的制造方法，其特征在于，该制造方法包含：

提供具有大致上彼此平行的一第一表面及一第二表面之一基板；

在该第一表面上制造一发光结构，该发光结构包含：

一第一导电型半导体材料第一层，其沉积在该基板上；

一活化层，其位于该第一层上方；及

一第二层，其位于该活化层上方，该第二层为相反于该第一导电型之导电型的半导体材料；及

蚀刻该基板的该第二表面以提供相对于该第一表面的一弯曲凸面。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，蚀刻该基板的该第二表面包含：

沉积一光阻层在该第二表面上；

图案化该光阻层；

加热该光阻层至该光阻层的表面呈现一弯曲凸面形状的一温度；及

蚀刻该光阻层及该基板。

9.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，该弯曲凸面的选择使得在该活化层中所产生的光线在最初时由于内反射而自该弯曲凸面反射而随后以小于入射点处的临界角的一角度入射于该弯曲凸面。