[发明专利]制程套组屏蔽件及其使用方法

权利要求书

1.一种制程套组屏蔽件，包含：

主体，所述主体具有壁，所述壁包含第一层和与所述第一层结合的第二层，其中，所述第一层包含第一材料，所述第一材料能抵抗用来移除在制程过程中沉积在所述第一层上的材料的化学清洁剂，并且其中，所述第二层包含第二材料，所述第二材料与所述第一材料不相同并且所述第二材料具有与所述第一材料基本相似的热膨胀系数。

2.根据权利要求1所述的制程套组屏蔽件，其中，所述第一材料和所述第二材料的热膨胀系数之间的差异小于或等于约10％。

3.根据权利要求1或2中任意一项所述的制程套组屏蔽件，其中，所述第二层是喷涂形成在所述第一层上的。

4.根据权利要求1到3中任意一项所述的制程套组屏蔽件，其中，所述主体是环状。

5.根据权利要求1到4中任意一项所述的制程套组屏蔽件，其中，所述第一材料包含不锈钢、镍、钽或钛中的至少一者。

6.根据权利要求1到5中任意一项所述的制程套组屏蔽件，其中，所述第二材料包含铝和硅。

7.根据权利要求1到6中任意一项所述的制程套组屏蔽件，其中，所述第一层包含面向制程的纹理化的表面，所述纹理化的表面能保留住直径大于约0.016微米的颗粒。

8.一种衬底处理设备，包括：

制程腔室，其具有处理容积和非处理容积；以及

制程套组屏蔽件，其设置在所述腔室内并且将所述处理容积与所述非处理容积分隔开，所述制程套组屏蔽件如权利要求1-7中任何一项所述，其中，所述第一层面向所述处理容积并且所述第二层面向所述非处理容积。

9.根据权利要求8所述的设备，其中，所述制程套组屏蔽件环绕在衬底支撑基座的周围，所述衬底支撑基座设置在所述制程腔室中并且位于所述处理容积下方。

10.一种处理衬底的方法，包括：

提供制程腔室，其具有处理容积和非处理容积以及具有如权利要求1-7中任何一项所述的制程套组屏蔽件，所述制程套组屏蔽件设置在所述制程腔室内并且将所述处理容积和所述非处理容积分隔开，其中，所述第一层面向所述处理容积并且所述第二层面向所述非处理容积；

将衬底放置在所述制程腔室中；

在所述处理容积中形成等离子体；以及

使所述衬底暴露到所述等离子体。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一材料与所述第二材料的热膨胀系数之间的差异小于或等于约10％。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一层还包含纹理化表面，所述纹理化表面能保留住直径大于约0.016微米的颗粒。

13.一种清洁制程套组屏蔽件的方法，包括：

提供如权利要求1-8中任何一项所述的制程套组屏蔽件，其中，所述第一层具有布置在其上的污染物；以及

使所述第一层暴露到所述化学清洁剂中，以移除所述污染物。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述化学清洁剂包含氢氟酸(HF)、硝酸(HNO₃)、过氧化氢(H₂O₂)、铵(NH₄)或氢氧化钾(KOH)中的至少一者。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，只有所述第一层暴露到所述化学清洁剂中。