[发明专利]用于为具有降低的光致衰退的光伏器件淀积非晶硅膜以改进稳定性能的方法

权利要求书

1.一种在具有导电接触的衬底上形成薄膜光伏器件的方法，包括：

形成p-i-n结半导体层堆叠，包括：

形成p型微晶硅层；

形成p型非晶硅层；

形成缓冲硅层；

形成本征型非晶硅层；

在本征型非晶硅层上形成n型硅层。

2.根据权利要求1的方法，其中该硅层包括由至少包括硅烷和氢的气体混合物产生的氢化硅。

3.根据权利要求1-2的方法，其中形成该缓冲硅层包括形成本征型非晶硅层。

4.根据权利要求1-3的方法，其中p型非晶硅层和缓冲硅层在进一步包括甲烷的气体混合物中淀积。

5.根据权利要求1-4的方法，其中该p型非晶硅层和该p型微晶硅层在包括硼的气体混合物中淀积。

6.根据权利要求1-5的方法，其中在缓冲硅层淀积期间以sccm为单位的硅烷的通量和以sccm为单位的氢的通量的比率基本上是10∶94，并且在本征型非晶硅层的淀积期间所述比率基本上是10∶9。

7.根据权利要求1-5的方法，其中在p型非晶硅层淀积期间以sccm为单位的硅烷的通量和以sccm为单位的氢的通量和以sccm为单位的甲烷的通量的比率基本上是10∶18∶19。

8.根据权利要求6的方法，其中在缓冲硅层淀积期间以sccm为单位的硅烷的通量和以sccm为单位的氢的通量和以sccm为单位的甲烷的通量的比率基本上是10∶94∶2。

9.根据权利要求1的方法，其中形成该n型硅层包括

形成n型非晶硅层；

形成n型微晶硅层。

10.一种硅基薄膜光伏器件，包括，在衬底上的

导电接触

p-i-n结半导体层堆叠，包括：

p型微晶硅层；

p型非晶硅层；

缓冲硅层；

本征型非晶硅层；

本征型非晶硅层上的n型硅层。

11.根据权利要求10的光伏器件，其中n型硅层包括n型非晶硅层和n型微晶硅层。

12.根据权利要求10-11的光伏器件，其中该缓冲硅层包括掺碳的本征型氢化非晶硅层。