[发明专利]制造氮化物衬底的方法和氮化物衬底

权利要求书

1.一种制造氮化物衬底(10)的方法，包括以下步骤：

生长氮化物晶体(22)；以及

从所述氮化物晶体(22)切割包括前表面(11)的氮化物衬底(10)，

其中，在所述的切割的步骤中，切割所述氮化物衬底(10)以使得在与所述前表面(11)正交的轴和m轴或a轴之间形成的偏离角大于零。

2.根据权利要求1所述的制造氮化物衬底(10)的方法，其中，

在所述的切割的步骤中，切割所述氮化物衬底(10)以使得所述氮化物衬底(10)包括具有第一区域(12)和围绕所述第一区域(12)的第二区域(13)的所述前表面(11)，并且所述偏离角在所述第二区域(13)中的第一点(13a)处具有最小值。

3.根据权利要求2所述的制造氮化物衬底(10)的方法，其中，

在所述的切割的步骤中，切割所述氮化物衬底(10)以使得所述第二区域(13)在距离所述氮化物衬底(10)的边缘2mm以内。

4.根据权利要求2所述的制造氮化物衬底(10)的方法，其中，

在所述的切割的步骤中，切割所述氮化物衬底(10)以使得所述偏离角在所述第二区域(13)中的第二点(13b)处具有最大值，并且所述偏离角从所述第二点(13b)向所述第一点(13a)单调减小。

5.根据权利要求1所述的制造氮化物衬底(10)的方法，其中，

在所述的切割的步骤中，在c轴方向上沿着与相对于a面或m面倾斜的平面相平行的平面，从所述氮化物晶体(22)切割所述氮化物衬底(10)。

6.根据权利要求1所述的制造氮化物衬底(10)的方法，在所述的切割的步骤之后，还包括对所述氮化物衬底(10)的所述前表面(11)进行抛光和研磨中的至少一项的步骤。

7.根据权利要求1所述的制造氮化物衬底(10)的方法，其中，

在所述的切割的步骤中，切割多个所述氮化物衬底(10)。

8.一种制造氮化物衬底(10)的方法，包括以下步骤：

在c轴方向上，生长包括前表面(22a)和与所述前表面(22a)相反的后表面(22b)的氮化物晶体(22)；以及

从所述氮化物晶体(22)切割氮化物衬底(10)，

其中，在所述的切割的步骤中，沿着穿过所述氮化物晶体(22)的所述前表面(22a)和所述后表面(22b)的且没有穿过连接所述氮化物晶体(22)的所述前表面(22a)的曲率半径的中心和所述后表面(22b)的曲率半径的中心的线段的平面，从所述氮化物晶体(22)切割所述氮化物衬底(10)。

9.根据权利要求8所述的制造氮化物衬底(10)的方法，其中，

在所述的切割的步骤中，切割所述氮化物衬底(10)以使得所述氮化物衬底(10)包括具有第一区域(12)和围绕所述第一区域(12)的第二区域(13)的前表面(11)，并且所述偏离角在所述第二区域(13)中的第一点(13a)处具有最小值。

10.根据权利要求9所述的制造氮化物衬底(10)的方法，其中，

在所述的切割的步骤中，切割所述氮化物衬底(10)以使得所述第二区域(13)在距离所述氮化物衬底(10)的边缘2mm以内。

11.根据权利要求9所述的制造氮化物衬底(10)的方法，其中，

在所述的切割的步骤中，切割所述氮化物衬底(10)以使得所述偏离角在所述第二区域(13)中的第二点(13b)处具有最大值，并且所述偏离角从所述第二点(13b)向所述第一点(13a)单调减小。

12.根据权利要求8所述的制造氮化物衬底(10)的方法，其中，

在所述的切割的步骤中，在c轴方向上沿着与相对于a面或m面倾斜的平面相平行的平面，从所述氮化物晶体(22)切割所述氮化物衬底(10)。

13.根据权利要求8所述的制造氮化物衬底(10)的方法，

在所述的切割的步骤之后，还包括对所述氮化物衬底(10)的前表面(11)进行抛光和研磨中的至少一项的步骤。

14.根据权利要求8所述的制造氮化物衬底(10)的方法，其中，

在所述的切割的步骤中，切割多个所述氮化物衬底(10)。