[发明专利]气体供给部件以及等离子体处理装置无效
| 申请号： | 200980134206.0 | 申请日： | 2009-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102138204A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 周藤贤治;三原直辉 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C23C16/455;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李伟;王轶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 气体 供给 部件 以及 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种气体供给部件，用于供给气体，其特征在于，
包括环状部，其将以环状延伸的气体流路设置在其内部；
上述环状部具备：包括设有供给气体的多个供给孔的平板部的环状的第一部件，和在与上述第一部件之间形成上述流路的环状的第二部件。
2.根据权利要求1所述的气体供给部件，其特征在于，
上述第一部件与上述第二部件接合。
3.根据权利要求1所述的气体供给部件，其特征在于，
上述环状部为圆环状。
4.根据权利要求1所述的气体供给部件，其特征在于，上述第二部件的截面是大致字形。
5.根据权利要求1所述的气体供给部件，其特征在于，
上述第一部件和第二部件的材质是石英。
6.根据权利要求1所述的气体供给部件，其特征在于，
多个上述供给孔分别沿周向等间隔设置。
7.一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：
在其内部对被处理基板进行等离子体处理的处理容器；
配置在上述处理容器内并在其上保持上述被处理基板的保持台；
使上述处理容器内产生等离子体的等离子体发生单元；
向上述处理容器内供给等离子体处理用的反应气体的气体供给部件，
上述气体供给部件包括环状部，该环状部将以环状延伸的气体流路设置在其内部，
支承部，其从上述环状部的外径面向外径侧延伸，来支承上述环状部，
在上述环状部上，
上述环状部具备：包括设有供给气体的多个供给孔的平板部的环状的第一部件，和在与上述第一部件之间形成上述流路的环状的第二部件。
8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述等离子体发生单元包括：微波发生器，其产生等离子体激励用的微波；电介质板，其设置在与上述保持台相对置的位置，用于将微波导入到上述处理容器内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
